[发明专利]成膜装置、成膜方法及电子器件的制造方法

权利要求书

1.一种成膜装置，其特征在于，

该成膜装置具备：

基板搬送室，被维持成真空；

第一真空成膜室，具有用于搬入及搬出基板的搬入搬出口；以及

第二真空成膜室，分别具有用于搬入基板的搬入口和用于搬出基板的搬出口，

所述第一真空成膜室经由所述搬入搬出口与所述基板搬送室之间搬入及搬出基板，

所述第二真空成膜室经由所述搬入口从所述基板搬送室搬入基板，且不经由所述搬入口向所述基板搬送室搬出基板。

2.根据权利要求1所述的成膜装置，其特征在于，

所述第二真空成膜室的所述搬出口经由所述搬入口与所述基板搬送室相连。

3.根据权利要求1或2所述的成膜装置，其特征在于，

成膜处理时的所述第一真空成膜室与所述基板搬送室之间的压力差小于成膜处理时的所述第二真空成膜室与所述基板搬送室之间的压力差。

4.根据权利要求3所述的成膜装置，其特征在于，

所述第二真空成膜室具有调压机构，

所述第二真空成膜室在被所述调压机构调压成所述第二真空成膜室与所述基板搬送室之间的压力差小于成膜处理时的所述第二真空成膜室与所述基板搬送室之间的压力差之后，经由所述搬入口从所述基板搬送室搬入基板。

5.根据权利要求4所述的成膜装置，其特征在于，

所述第二真空成膜室被所述调压机构调压成同与所述搬出口相连的室之间的压力差小于成膜处理时的与所述室的压力差之后，经由所述搬出口向所述室搬出基板。

6.根据权利要求1或2所述的成膜装置，其特征在于，

成膜处理时的所述第一真空成膜室的压力比成膜处理时的所述第二真空成膜室的压力低。

7.根据权利要求1或2所述的成膜装置，其特征在于，

该成膜装置还具备具有用于搬入及搬出基板的搬入搬出口的第三真空成膜室，

所述第三真空成膜室经由所述第三真空成膜室具有的所述搬入搬出口与所述基板搬送室之间搬入及搬出基板，

在所述第三真空成膜室进行了成膜处理的基板经由所述基板搬送室被搬入所述第一真空成膜室。

8.根据权利要求1或2所述的成膜装置，其特征在于，

在所述第一真空成膜室进行了成膜处理的基板经由所述基板搬送室被搬入所述第二真空成膜室。

9.根据权利要求1或2所述的成膜装置，其特征在于，

所述第一真空成膜室是在基板上进行由有机材料构成的膜的成膜的成膜室，

所述第二真空成膜室是在基板上进行由无机材料构成的膜的成膜的成膜室。

10.根据权利要求1或2所述的成膜装置，其特征在于，

所述第一真空成膜室是通过蒸镀处理在基板上进行成膜的成膜室，

所述第二真空成膜室是通过溅射在基板上进行成膜的成膜室。

11.一种成膜方法，其特征在于，

该成膜方法具备：

第一成膜工序，将基板从基板搬送室向第一真空成膜室搬入而进行成膜处理；

第二成膜工序，将在所述第一真空成膜室进行了成膜处理的基板经由所述基板搬送室搬入第二真空成膜室进行成膜处理；以及

搬出工序，将在所述第二真空成膜室进行了成膜处理的基板不经由所述基板搬送室地从所述第二真空成膜室搬出。

12.根据权利要求11所述的成膜方法，其特征在于，

在所述第二成膜工序中，将所述第二真空成膜室的压力调压成所述第二真空成膜室与所述基板搬送室之间的压力差小于成膜处理时的所述第二真空成膜室与所述基板搬送室之间的压力差之后，将基板搬入所述第二真空成膜室，

成膜处理时的所述第一真空成膜室与所述基板搬送室之间的压力差小于成膜处理时的所述第二真空成膜室与所述基板搬送室之间的压力差。