[发明专利]半导体装置的制造方法

说明书

本公开涉及半导体装置的制造方法。该方法包括：提供器件晶片，该器件晶片包括相对的第一侧和第二侧；从第一侧对器件晶片的边缘进行修剪，以形成台阶状的边缘廓形，该边缘廓形包括从第一侧起的第一个边角处的第一边角廓形；将器件晶片键合到载体晶片，其中器件晶片被取向为使得第一侧面向载体晶片；从第二侧对器件晶片进行第一减薄处理，以减小器件晶片的厚度；对器件晶片施加保护层，以至少覆盖第一边角廓形；以及从第二侧对器件晶片进行第二减薄处理，以继续减小器件晶片的厚度。

技术领域

本公开涉及半导体领域，具体来说，涉及半导体装置的制造方法。

背景技术

在半导体装置的制造工艺中，通常需要对晶片进行减薄(thinning)处理。一般来说，减薄处理能够去除中间材料以便于后续加工、改善尺寸比例以便于封装、减小导通电阻等等。例如，在背照式(BSI)图像传感器的制造过程中，需要对晶片进行减薄处理以减小衬底厚度，从而增强辐射透射能力。

减薄处理通常包括机械减薄处理、化学减薄处理以及二者的相互配合。一般地，不同类型的减薄处理被组合地使用，以保证减薄处理的高效率和高质量。

值得注意的是，在晶片的制造过程中，经常会在特定的位置(诸如，边缘)产生应力集中区。在减薄处理中，这种应力集中区的存在会增加晶片损坏的风险。

对于半导体装置的制造工艺而言，提高良品率是重要的挑战。因此存在对于新的技术的需求。

发明内容

本公开的目的之一是提供一种新颖的半导体装置的制造方法，特别地，涉及改善半导体装置的良品率。

根据本公开的一个方面，提供了一种制造半导体装置的方法，该方法包括：提供器件晶片，该器件晶片包括相对的第一侧和第二侧；从第一侧对器件晶片的边缘进行修剪，以形成台阶状的边缘廓形，该边缘廓形包括从第一侧起的第一个边角处的第一边角廓形；将器件晶片键合到载体晶片，其中器件晶片被取向为使得第一侧面向载体晶片；从第二侧对器件晶片进行第一减薄处理，以减小器件晶片的厚度；对器件晶片施加保护层，以至少覆盖第一边角廓形；以及从第二侧对器件晶片进行第二减薄处理，以继续减小器件晶片的厚度。

通过以下参照附图对本公开的示例性实施例的详细描述，本公开的其它特征及其优点将会变得更为清楚。

附图说明

构成说明书的一部分的附图描述了本公开的实施例，并且连同说明书一起用于解释本公开的原理。

参照附图，根据下面的详细描述，可以更加清楚地理解本公开，其中：

图1A-图1D是例示根据现有技术的半导体装置的制造方法中的部分步骤的示意性截面图。

图2示出了根据本公开一个或多个示例性实施例的半导体装置的制造方法的流程图。

图3A至图3H是示出与图2所示的方法的部分步骤对应的半导体装置的示意性截面图。

注意，在以下说明的实施方式中，有时在不同的附图之间共同使用同一附图标记来表示相同部分或具有相同功能的部分，而省略其重复说明。在一些情况中，使用相似的标号和字母表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步讨论。

为了便于理解，在附图等中所示的各结构的位置、尺寸及范围等有时不表示实际的位置、尺寸及范围等。因此，本公开并不限于附图等所公开的位置、尺寸及范围等。

具体实施方式

本申请的发明人认识到，对于半导体装置的制造工艺而言，改善良品率是重要的挑战。

图1A-图1D是例示根据现有技术的半导体装置的制造方法中的部分步骤的示意性截面图。典型地，图1A-图1D中例示的步骤用于制造背照式图像传感器。