[发明专利]还原炉在审
申请号: | 201811363108.1 | 申请日: | 2018-11-15 |
公开(公告)号: | CN109250720A | 公开(公告)日: | 2019-01-22 |
发明(设计)人: | 李涛;陈文吉 | 申请(专利权)人: | 新疆大全新能源股份有限公司 |
主分类号: | C01B33/035 | 分类号: | C01B33/035 |
代理公司: | 北京鼎佳达知识产权代理事务所(普通合伙) 11348 | 代理人: | 王伟锋;刘铁生 |
地址: | 832000 新疆维吾尔自治*** | 国省代码: | 新疆;65 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 还原炉 发热体 底盘 电极 硅棒 炉体 体内 生产周期 多晶硅生产 重量百分比 电极设置 能源消耗 多晶硅 钨元素 钼元素 支撑 硅芯 生产成本 替代 生产 | ||
本发明公开了一种还原炉,涉及多晶硅生产技术领域,主要目的是提供一种能够替代现有的硅芯的还原炉,使得硅棒的生产周期减少,降低硅棒的能源消耗和生产成本。本发明的主要技术方案为:一种还原炉,包括:炉体;支撑部,所述支撑部包括底盘和电极,所述底盘连接于所述炉体,所述电极设置在所述炉体内,并且连接于所述底盘;发热体,所述发热体设置在所述炉体内,并且连接于所述电极,其中,所述发热体至少由以下重量百分比的组分组成:钨元素:20‑50%;钼元素:50‑80%。本发明主要用于生产多晶硅。
技术领域
本发明涉及多晶硅生产技术领域,尤其涉及一种还原炉。
背景技术
随着社会的快速发展,光伏领域得到越来越多的人的重视,而单晶硅成为太阳能电池板的主要材料。制作硅的过程中,需要通过还原炉对硅料进行加热,通常情况下,会在还原炉内设置硅芯,通过高压对硅芯进行击穿以及加热,使硅芯作为发热体进行多晶硅生长,多晶硅沉淀在发热的硅芯上,逐渐形成硅棒。但是,由于硅芯在使用时必须先进行高压击穿,使得对还原炉的电极以及其他电气设备的要求较高,并且,硅芯的直径较小,生产周期较长,使硅芯的成本增加,同时,在硅棒生产的前期多晶硅的沉淀速度较慢,使还原炉的生产周期增加,不仅增加了硅棒生产的能源消耗,同时还增加了硅棒的生产成本。
发明内容
有鉴于此,本发明实施例提供一种还原炉,主要目的是提供一种能够替代现有的硅芯的还原炉,使得硅棒的生产周期减少,降低硅棒的能源消耗和生产成本。
为达到上述目的,本发明主要提供如下技术方案:
本发明实施例提供了一种还原炉,包括:
炉体;
支撑部,所述支撑部包括底盘和电极,所述底盘连接于所述炉体,所述电极设置在所述炉体内,并且连接于所述底盘;
发热体,所述发热体设置在所述炉体内,并且连接于所述电极,
其中,所述发热体至少由以下重量百分比的组分组成:
钨元素:20-50%;
钼元素:50-80%。
进一步的,所述钨元素的重量百分比的含量为25-35%,所述钼元素的重量百分比的含量为70-75%。
进一步的,所述电极包括第一电极和第二电极;
所述发热体包括管体、第一连接端和第二连接端,所述第一连接端和所述第二连接端分别设置在所述管体的两端,所述第一连接端连接于所述第一电极,所述第二连接端连接于所述第二电极。
进一步的,所述第一连接端具有第一连接片,所述第一连接片上具有第一连接孔,所述第二连接端具有第二连接片,所述第二连接片上具有第二连接孔,所述第一电极与所述第一连接片之间设置第一螺栓,所述第二电极与所述第二连接片之间设置第二螺栓,用于固定所述管体。
进一步的,所述管体的直径为40-60mm。
进一步的,所述管体的外壁的厚度为2-3mm。
进一步的,所述发热体的形状为U形。
进一步的,防氧化涂层,所述防氧化涂层覆盖在所述管体的表面,用于防止氧化。
进一步的,所述防氧化涂层的材料为氮化硅涂层。
与现有技术相比,本发明具有如下技术效果:
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