[发明专利]半导体器件有效
申请号: | 201811363340.5 | 申请日: | 2018-11-15 |
公开(公告)号: | CN110364200B | 公开(公告)日: | 2023-02-17 |
发明(设计)人: | 金昌铉 | 申请(专利权)人: | 爱思开海力士有限公司 |
主分类号: | G11C11/406 | 分类号: | G11C11/406 |
代理公司: | 北京弘权知识产权代理有限公司 11363 | 代理人: | 许伟群;郭放 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体器件 | ||
一种半导体器件,包括:控制温度码发生电路,其被配置为通过锁存温度码来产生锁存码,直到所产生的许多锁存码包括相同的组合,并且被配置为当所产生的许多锁存码包括相同的组合时更新控制温度码。
相关申请的交叉引用
本申请要求2018年4月10日向韩国知识产权局提交的申请号为10-2018-0041458的韩国专利申请的优先权,其内容通过引用整体并入本文。
技术领域
本公开的实施例总体而言涉及一种半导体器件,更具体地,涉及一种与产生控制温度码有关的半导体器件。
背景技术
诸如DRAM的半导体器件使用TCSR(温度补偿自刷新)电路来减少电流消耗。TCSR电路是根据自刷新温度来改变自刷新周期从而减少电流消耗的电路。也就是说,通过使用DRAM的数据保持时间,TCSR电路通过在温度高时缩短自刷新周期来增加电流消耗,并且通过在温度低时延长自刷新周期来减少电流消耗。
在TCSR电路之中的数字TCSR电路中,数字温度计内置在半导体器件中,并且通过对从数字温度计产生的温度码进行编码来确定自刷新周期。数字温度计的性能取决于输出的温度码与半导体器件的内部温度相匹配的程度。
发明内容
在一个实施例中,可以提供一种半导体器件。所述半导体器件可以包括锁存码发生电路,所述锁存码发生电路被配置为通过锁存温度码来产生锁存码。所述半导体器件可以包括时段结束信号发生电路,所述时段结束信号发生电路被配置为基于相同的锁存码来产生用于更新控制温度码的时段结束信号。
在一个实施例中,可以提供一种半导体器件。所述半导体器件可以包括控制温度码发生电路,所述控制温度码发生电路被配置为通过锁存温度码来产生锁存码,并且基于相同的所述锁存码来产生被更新的控制温度码。所述半导体器件可以包括码输出电路,所述码输出电路被配置为输出所述控制温度码作为温度输出码。
在一个实施例中,可以提供一种半导体器件。所述半导体器件可以包括控制温度码发生电路,所述控制温度码发生电路被配置为通过分别锁存温度码的比特位来产生锁存码,直到所产生的许多锁存码包括相同的比特位组合,并且被配置为当所产生的所述许多锁存码包括相同的比特组合时更新控制温度码。
附图说明
图1是示出根据实施例的半导体器件的配置的示例的代表的框图。
图2是示出图1所示的半导体器件中包括的控制温度码发生电路的配置的示例的代表的框图。
图3是示出图2所示的控制温度码发生电路中包括的时段信号发生电路的示例的代表的电路图。
图4是示出图2所示的控制温度码发生电路中包括的振荡信号发生电路的示例的代表的电路图。
图5是示出图2所示的控制温度码发生电路中包括的计数信号发生电路的示例的代表的电路图。
图6是示出图2所示的控制温度码发生电路中包括的解码电路的示例的代表的电路图。
图7是示出图2所示的控制温度码发生电路中包括的锁存码发生电路的示例的代表的电路图。
图8是示出图2所示的控制温度码发生电路中包括的时段结束信号发生电路的示例的代表的电路图。
图9是示出图2所示的控制温度码发生电路中包括的控制温度码输出电路的示例的代表的电路图。
图10是有助于解释图1至图9中所示的半导体器件的操作的定时图的示例的代表。
图11是示出图1所示的半导体器件被应用于的电子系统的配置的示例的代表的示图。
具体实施方式
在下文中,下面将参考附图通过实施例的各种示例来描述半导体器件。
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