[发明专利]质谱仪

权利要求书

1.一种将分析物离子注入质量分析器的方法，其包括：

将第一电荷的分析物离子注入离子阱；

将与所述第一电荷的极性相反的第二电荷的反荷离子注入所述离子阱；

在冷却时间段期间同时冷却所述离子阱中的所述分析物离子和所述反荷离子，以减少所述离子阱中所述分析物离子的空间分布，其中所述冷却时间段的持续时间不大于将所述分析物离子与所述反荷离子的反应限制在所述分析物离子的预先确定的小比例的时间段；以及

将所述分析物离子作为离子包从所述离子阱注入所述质量分析器，

其中所述离子阱包括：

细长多极电极组件，其包括细长多极电极，所述细长多极电极被布置成在其中限定细长离子通道，所述分析物离子和所述反荷离子注入所述细长离子通道，

其中，所述分析物离子和所述反荷离子由通过将RF电势施加到所述细长多极电极而形成的赝势阱径向地限制在所述细长离子通道内；

所述分析物离子通过第一势阱轴向地限制在所述细长离子通道内；

所述反荷离子通过第二势阱轴向地限制在所述细长离子通道内；并且

所述反荷离子与所述分析物离子混合。

2.根据权利要求1所述的方法，其中

所述第一势阱由施加到至少一个第一电极的第一DC偏压来限定，所述至少一个第一电极位于所述细长多极电极之间并且位于所述细长离子通道的中心区域附近。

3.根据权利要求2所述的方法，其中：

所述第二势阱由施加在所述细长离子通道的与所述细长多极电极相对的端部处的第二DC偏压来限定，所述第二DC偏压与所述第一DC偏压的极性相同。

4.根据权利要求1所述的方法，其中：

所述第二势阱的大小大于所述第一势阱的大小。

5.根据权利要求1所述的方法，其中：

在注入所述反荷离子之前，冷却所述离子阱中的所述分析物离子。

6.根据权利要求1所述的方法，其还包括：

确定注入所述离子阱的分析物离子的数量；

其中基于所确定的分析物离子数量来确定要注入所述离子阱的反荷离子的数量。

7.根据权利要求6所述的方法，其中：

注入所述离子阱的所述反荷离子的质荷比(m/z)不大于300amu或250amu或200amu。

8.根据权利要求7所述的方法，其还包括：

确定要注入所述离子阱的所述分析物离子的平均质荷比；以及

如果所述分析物离子的所述平均质荷比是所述反荷离子的所述质荷比的至少2倍，那么确定要注入所述离子阱的反荷离子的所述数量使得所述反荷离子的总电荷超过所述分析物离子的总电荷。

9.根据权利要求6所述的方法，其中：

确定要注入所述离子阱的反荷离子的所述数量使得所述反荷离子的总电荷不大于所述分析物离子的总电荷。

10.根据权利要求1所述的方法，其中：

同时冷却所述离子阱中的所述分析物离子和所述反荷离子的所述持续时间不大于2ms。

11.根据权利要求1所述的方法，其中：

所述分析物离子从所述离子阱的一个轴端注入所述离子阱；并且

所述反荷离子从所述离子阱的另一个轴端注入所述离子阱。

12.根据权利要求1所述的方法，其中：

所述分析物离子在注入所述离子阱之前由第一离子源产生；并且

所述反荷离子在注入所述离子阱之前由第二离子源产生。

13.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中：

通过激光冷却设备在离子阱中冷却所述反荷离子，进而通过动能转移来冷却所述分析物离子。