[发明专利]一种MIM电容及其制作方法

权利要求书

1.一种MIM电容的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成第一金属层；

在所述第一金属层上形成抗反射层；

光刻并刻蚀所述第一金属层和所述抗反射层，以定义MIM电容区域，所述MIM电容区域中的所述第一金属层作为MIM电容的下极板，所述MIM电容区域中的所述抗反射层作为MIM电容的介质层；

在所述MIM电容区域中的所述抗反射层上形成MIM电容的上极板，同时形成所述MIM电容区域中且在形成所述上极板的区域之外的第一接触孔及其他电路区域的接触孔。

2.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述在所述MIM电容区域中的所述抗反射层上形成所述MIM电容的上极板的步骤包括：

形成第一金属间介电层并光刻及刻蚀，在所述第一金属间介电层中形成上极板开口，所述上极板开口暴露部分所述抗反射层；

在所述上极板开口中填充金属以形成所述MIM电容的上极板。

3.如权利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述在所述第一金属间介电层中形成上极板开口，所述上极板开口暴露部分所述抗反射层；在所述上极板开口中填充金属以形成所述MIM电容的上极板的步骤，还包括：

在MIM电容区域中且在形成所述上极板开口的区域之外，光刻并刻蚀所述第一金属间介电层和所述抗反射层，形成依次贯穿所述第一金属间介电层和所述抗反射层的至少一个第一接触孔开口，所述第一接触孔开口暴露部分所述第一金属层；

在所述第一接触孔开口中填充金属以形成第一接触孔。

4.如权利要求1或3所述的制作方法，其特征在于，所述在所述MIM电容区域中的所述抗反射层上形成MIM电容的上极板的步骤之后，还包括：

形成第二金属层并光刻及刻蚀，以图形化所述第二金属层。

5.如权利要求4所述的制作方法，其特征在于，所述在形成第二金属层并光刻及刻蚀，以图形化所述第二金属层的步骤之后，还包括：

形成第二金属间介电层，并在所述第二金属层间介电层中形成至少一个第二接触孔；

在第二金属间介电层上形成顶层金属层并光刻及刻蚀，以图形化所述顶层金属层。

6.如权利要求1或5所述的制作方法，其特征在于，所述MIM电容的上极板和所述MIM电容的下极板分别引出至顶层金属层。

7.如权利要求3所述的制作方法，其特征在于，所述上极板的尺寸大于所述第一接触孔的尺寸。

8.一种根据权利要求1-7之一所述的制备方法制备的MIM电容，其特征在于，包括：

半导体衬底，所述半导体衬底上形成有第一金属层；

所述第一金属层上形成有抗反射层；

所述半导体衬底包括MIM电容区域，所述MIM电容区域中的所述第一金属层作为MIM电容的下极板，所述MIM电容区域中的所述抗反射层作为MIM电容的介质层；

所述MIM电容区域中的所述抗反射层上形成有MIM电容的上极板；所述MIM电容区域中且在形成所述上极板的区域之外形成有第一接触孔；其他电路区域形成有其他电路区域的接触孔。

9.如权利要求8所述的MIM电容，其特征在于，所述上极板的面积为10E 2 um²至10E 6um²。

10.如权利要求8所述的MIM电容，其特征在于，所述MIM电容的上极板的厚度为5000埃至8000埃，所述MIM电容的下极板的厚度为2000埃至5000埃，所述MIM电容的介质层的厚度为200埃至500埃。