[发明专利]等离子体处理装置

说明书

本发明提供一种等离子体处理装置。等离子体蚀刻装置具有构成基片载置台(130)的载置面的静电吸盘(132)的绝缘层(145)，其中，该基片载置台(130)用于载置作为等离子体处理的对象的基片。绝缘层(145)包括氧化铝、氧化钇和硅化合物。另外，等离子体蚀刻装置(30)具有吸附电极(146)，该吸附电极(146)设置在绝缘层(145)内，通过对其施加规定的电压来吸附基片。吸附电极(146)由含镍金属或者含铬金属形成。本发明即使在进行干式清洁的情况下，也能够提高载置台对等离子体的耐受性。

技术领域

本发明的各种方面和实施方式涉及一种等离子体处理装置。

背景技术

一直以来，已知一种进行蚀刻和成膜等等离子体处理的等离子体处理装置。等离子体处理装置设置有用于载置玻璃基片等被处理件的载置台。载置台中，在载置被处理件的上方设置有由氧化铝的喷镀膜、电极层、密封剂等构成的静电吸盘，在等离子体处理时，利用静电吸盘吸附被处理件。

但是，等离子体处理装置为了除去由于等离子体处理而附着在载置台上的生成物，进行供给清洁用的气体以进行清洁的干式清洁。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2008-066707号公报

发明内容

发明要解决的技术问题

然而，等离子体处理装置中，载置台由于干式清洁而被消耗。例如，由于干式清洁，构成静电吸盘的材料被消耗。

用于解决技术问题的技术手段

本发明的等离子体处理装置，在一个实施方式中，包括：构成载置台的载置面的绝缘层，其中，上述载置台用于载置作为等离子体处理的对象的被处理件。绝缘层包括氧化铝、氧化钇和硅化合物。另外，等离子体处理装置包括设置在上述绝缘层内的吸附电极，通过对上述吸附电极施加规定的电压来吸附被处理件。吸附电极包括含镍金属或者含铬金属。

发明效果

依照本发明的等离子体处理装置的一个方式，即使在进行干式清洁的情况下，也能够起到提高载置台对等离子体的耐受性的效果。

附图说明

图1是表示适用于本发明的实施方式的等离子体处理方法的被处理件的结构的截面图。

图2是表示用于实施第一实施方式的处理方法的处理系统的概略平面图。

图3是表示安装于图2的处理系统的等离子体蚀刻装置的截面图。

图4是表示第一实施方式的基材和静电吸盘的构成的截面图。

图5是表示金属对氯系气体的耐受性的一个例子的图。

图6是表示安装于图2的处理系统的后处理装置的概略图。

图7是表示第一实施方式的等离子体处理方法的流程图。

图8是表示使用Cl₂气体作为处理气体来对含Al金属膜进行了蚀刻的情况下，在腔室内生成的反应生成物的概略图。

图9是表示使用Cl₂气体作为处理气体来对含Al金属膜进行了蚀刻后，使用O₂气体或者O₂气体和CF₄气体进行了后处理的情况下，在腔室内生成的反应生成物的概略图。

图10是表示用于实施第二实施方式的处理方法的处理系统的概略平面图。

图11是表示安装于处理系统的等离子体蚀刻装置的截面图。

图12是表示第二实施方式的基材和静电吸盘的构成的截面图。