[发明专利]读取电阻式存储器件的方法有效
申请号: | 201811365709.6 | 申请日: | 2018-11-16 |
公开(公告)号: | CN110136763B | 公开(公告)日: | 2022-12-06 |
发明(设计)人: | 金京完;河泰政 | 申请(专利权)人: | 爱思开海力士有限公司 |
主分类号: | G11C13/00 | 分类号: | G11C13/00;H01L29/66 |
代理公司: | 北京弘权知识产权代理有限公司 11363 | 代理人: | 许伟群;郭放 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 读取 电阻 存储 器件 方法 | ||
1.一种读取电阻式存储器件的方法,包括:
准备包括选择元件和可变电阻元件的存储单元,所述选择元件在针对所述存储单元的电流-电压扫描曲线上表现出骤回行为;
在所述选择元件维持导通状态的电压范围之内确定要施加给所述存储单元的第一读取电压和第二读取电压,所述第二读取电压低于所述第一读取电压,并且所述第二读取电压在所述选择元件表现出所述骤回行为的电压范围中选择;
施加所述第一读取电压给所述存储单元以测量第一单元电流;
施加所述第二读取电压给所述存储单元以测量第二单元电流;以及
基于所述第一单元电流和所述第二单元电流来确定储存在所述存储单元中的电阻状态。
2.如权利要求1所述的方法,
其中,所述电阻式存储器件包括沿第一方向延伸的第一导线和沿第二方向延伸的第二导线,以及
其中,所述存储单元沿第三方向位于所述第一导线与所述第二导线之间的区域中。
3.如权利要求1所述的方法,其中,所述电流-电压扫描曲线是通过在扫描输入电流时施加所述输入电流给所述存储单元并测量来自所述存储单元的输出电压而获得的曲线。
4.如权利要求1所述的方法,其中,所述电流-电压扫描曲线是通过在扫描输入电压时施加所述输入电压给所述存储单元并测量来自所述存储单元的输出电流而获得的曲线。
5.如权利要求1所述的方法,其中,所述电流-电压扫描曲线包括所述可变电阻元件处于低电阻状态时的电流-电压测量部分和所述可变电阻元件处于高电阻状态时的电流-电压测量部分。
6.如权利要求1所述的方法,
其中,所述电流-电压扫描曲线通过在扫描时施加输入电流给所述存储单元之后测量来自所述存储单元的输出电压来获得,以及
其中,所述骤回行为包括随着施加的电流在等于或大于所述选择元件的导通阈值电流的电流范围中增大而输出电压减小。
7.如权利要求1所述的方法,
其中,确定所述第一读取电压包括:
在从0A开始连续增大给所述存储单元施加的电流的大小的同时,测量来自所述存储单元的输出电压,以获得所述电流-电压扫描曲线的第一扫描图;以及
在所述第一扫描图上,在高于所述可变电阻元件处于高电阻状态时的所述选择元件的导通阈值电压、且低于所述可变电阻元件的设置电压的电压范围之内选择一个电压值。
8.如权利要求7所述的方法,
其中,确定所述第二读取电压包括:
在将所述施加的电流的大小从预定电流到0A连续减小的同时测量所述输出电压,以获得所述电流-电压扫描曲线的第二扫描图;以及
在高于所述可变电阻元件处于低电阻状态时的所述选择元件的关断阈值电压、且低于所述第一扫描图上的所述选择元件的导通阈值电压的电压范围之内选择一个电压值。
9.如权利要求8所述的方法,其中,所述选择元件的关断阈值电流的大小与第一扫描图上表现出骤回行为之后所述可变电阻元件处于低电阻状态时的导通保持电流实质上相同。
10.如权利要求1所述的方法,
其中,确定所述第一读取电压包括:
在将针对所述存储单元的施加的电压的大小从0V连续增大的同时测量来自所述存储单元的输出电流,以获得所述电流-电压扫描曲线的第一扫描图;以及
在高于所述可变电阻元件处于高电阻状态时的所述选择元件的导通阈值电压、且低于所述可变电阻元件的设置电压的电压范围之内选择一个电压值。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于爱思开海力士有限公司,未经爱思开海力士有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201811365709.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:时钟分配电路和包括其的半导体器件
- 下一篇:非易失性存储器装置及其读取方法