[发明专利]用于双面电池的组件版型设计方法在审
申请号: | 201811366084.5 | 申请日: | 2018-11-16 |
公开(公告)号: | CN109659384A | 公开(公告)日: | 2019-04-19 |
发明(设计)人: | 杨冬生;刘燕;孙烨;胡燕;金富强 | 申请(专利权)人: | 中建材浚鑫科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/05 | 分类号: | H01L31/05;H01L31/048 |
代理公司: | 上海申浩律师事务所 31280 | 代理人: | 吕琳琳 |
地址: | 214400 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 双面组件 电池片 导电胶膜 玻璃 双面电池 依次设置 正负极 排版 背面 串联 正极 超薄电池 降低功率 排版方式 负极 导电胶 汇流带 破片率 融化 敏感 | ||
本发明一种用于双面电池的组件版型设计方法,包括多个双面组件,每一双面组件均包括电池片、第一导电胶膜、第一EVA/POE、第一玻璃、第二导电胶膜、第二EVA/POE和第二玻璃,第一导电胶膜、第一EVA/POE和第一玻璃依次设置于电池片的正面,第二导电胶膜、第二EVA/POE和第二玻璃依次设置于电池片的背面;所述双面组件的正面为负极,双面组件的背面为正极,双面组件采用正负极交叉方式排版,且所有双面组件依次通过汇流带相串联。本发明双面组件采用正负极交叉的方式进行排版,本发明排版方式可使用导电胶介质对电池片进行串联,可低温融化,适用于超薄电池片、HIT等对温度较敏感的电池片,降低功率损失和破片率。
技术领域
本发明涉及电池组件排版技术领域,特别是涉及一种用于双面电池的组件版型设计方法。
背景技术
随着光伏行业技术的不断发展,电池端技术及材料的不断创新,电池片的主栅线从2根逐步升级为5根,并且有少量的12根和24根,随着主栅线根数的增加,对焊接设备精度和稳定性的要求也越来越高,设备瓶颈也接近于极限,随着电池端技术的创新,传统的焊接排版模式已无法满足技术要求。
发明内容
本发明针对现有技术存在的问题和不足,提供一种用于双面电池的组件版型设计方法。
本发明是通过下述技术方案来解决上述技术问题的:
本发明提供一种用于双面电池的组件版型设计方法,其特点在于,其包括多个双面组件,每一双面组件均包括电池片、第一导电胶膜、第一EVA/POE、第一玻璃、第二导电胶膜、第二EVA/POE和第二玻璃,所述第一导电胶膜、第一EVA/POE和第一玻璃依次设置于电池片的正面,所述第二导电胶膜、第二EVA/POE和第二玻璃依次设置于电池片的背面;所述双面组件的正面为负极,所述双面组件的背面为正极,所述双面组件采用正负极交叉方式排版,且所有双面组件依次通过汇流带相串联。
较佳地,所述第一导电胶膜和第二导电胶膜均为透明导电胶膜。
在符合本领域常识的基础上,上述各优选条件,可任意组合,即得本发明各较佳实例。
本发明的积极进步效果在于:
本发明的双面组件采用正负极交叉的方式进行排版,常规排版方式无法使用导电胶串联连接,传统金属焊接需要温度大概在250度左右,本发明的排版方式可使用导电胶介质对电池片进行串联,可低温融化,适用于超薄电池片(超薄电池片高温下会弯曲)、HIT等对温度较敏感的电池片进行封装,降低功率损失和破片率。
本发明可对电池片栅线数量及形状没有限制,可根据客户要求个性化定制图形,可摆脱组件端对电池片图形的束缚,推进电池技术的发展。
本发明可减少电池片及组件的金属用量,降低成本,减少对环境的污染。
本发明可增加电池片表面的受光面积,提高组件功率。
附图说明
图1为常规的电池片图形示意图;
图2为本发明可适用的电池片图形示意图;
图3为常规组件的串联方式;
图4为本发明组件的串联方式;
图5为常规组件的截面构造图;
图6为本发明组件的截面构造图;
图7为常规组件的排版示意图;
图8为本发明组件的一种排版示意图;
图9为本发明组件的另一种排版示意图。
具体实施方式
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中建材浚鑫科技有限公司,未经中建材浚鑫科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201811366084.5/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种太阳能复合封装板及太阳能组件
- 下一篇:感测装置
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的