[发明专利]一种靶材、磁控溅射装置及溅射方法、溅射薄膜

说明书

本发明提供一种靶材、磁控溅射装置及溅射方法、溅射薄膜，属于磁控溅射技术领域，其可解决现有的旋转靶磁控溅射设备的溅射得到的薄膜的电阻存在周期性差异致使显示不均的问题。本发明的靶材通过改变不同区域的靶元素含量，使得不同区域靶材的电阻率不同，这样当该靶材溅射成膜后，较薄薄膜的导电性能与较厚薄膜的导电性能一致，即薄厚不均的薄膜导电性能相同。采用该薄膜作为TFT的源漏极或者有源层，不同区域的TFT的电流大小相同，所制备的产品显示均匀。

技术领域

本发明属于磁控溅射技术领域，具体涉及一种靶材、磁控溅射装置及溅射方法、溅射薄膜。

背景技术

现有的旋转靶磁控溅射设备，如图1所示，一般包括多个旋转的靶材，每个靶材呈中空的圆柱形，磁控部件设于该靶材内部，利用磁控部件在靶材表面上形成正交电磁场，将电子束缚在靶材表面特定区域来提高电离效率，增加等离子体的密度和能量，从而实现在基板上高速率溅射成膜。

发明人发现现有技术中至少存在如下问题：每个靶材正对基板的位置，溅射得到的薄膜厚度较厚，方块电阻较小(如图2中的A区域所示)；而在相邻靶材之间的位置，溅射得到的薄膜厚度较小，方块电阻较大(如图2中的B区域所示)。这样得到的薄膜的膜厚和膜质都会存在周期性差异，这样溅射形成的源漏极或者有源层会造成A区域和B区域的TFT的电流大小不同，最终会导致显示的不均匀，形成所谓的Target Mura。

发明内容

本发明针对现有的旋转靶磁控溅射设备的溅射得到的薄膜的电阻存在周期性差异致使显示不均的问题，提供一种靶材、磁控溅射装置及溅射方法、溅射薄膜。

解决本发明技术问题所采用的技术方案是：

一种靶材，所述靶材包括第一区域和第二区域，所述第一区域用于向基板的正对靶材的位置进行溅射，所述第二区域用于向基板的斜对靶材的位置进行溅射，所述靶材含有至少两种靶元素，所述第一区域与第二区域中的至少部分靶元素的含量不同，所述第一区域的靶材的电阻率高于第二区域的靶材的电阻率。

可选的是，所述靶材由半导体材料构成。

可选的是，所述半导体材料包括金属氧化物。

可选的是，所述靶元素包括锌元素、氧元素，还包括铟元素、镓元素中的至少一种。

可选的是，所述靶元素包括锌元素，氧元素，以及铟元素，所述第二区域中铟元素的含量大于第一区域中铟元素的含量。

可选的是，所述靶材为筒状，所述靶材可绕轴线旋转。

本发明还提供一种磁控溅射装置，包括多个靶单元，所述靶单元设有上述的靶材。

可选的是，所述靶单元包括旋转靶单元。

可选的是，所述旋转靶单元设于所述靶材内，所述旋转靶单元包括：

磁控部件，用于向靶材提供电磁场；

支撑轴，用于支撑所述磁控部件，并带动磁控部件绕所述轴线在预定范围内转动。

本发明还提供一种溅射薄膜，采用上述的靶材溅射形成。

可选的是，所述溅射薄膜正对靶材的位置的厚度大于斜对靶材的位置的厚度，且所述溅射薄膜正对靶材的位置的材料电阻率小于斜对靶材的位置的材料电阻率。

本发明还提供一种磁控溅射方法，包括以下步骤：采用上述的靶材溅射形成溅射薄膜。

附图说明

图1为现有的旋转靶磁控溅射设备的截面结构示意图；

图2为现有的旋转靶磁控溅射设备的溅射成膜示意图；

图3为本发明的实施例1的靶材的结构示意图；