[发明专利]一种用于四个功率半导体器件串联的低电感叠层母排在审
| 申请号： | 201811366724.2 | 申请日： | 2018-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN109510438A | 公开（公告）日： | 2019-03-22 |
| 发明（设计）人： | 周宇;胡卫丰;马汝祥;侍红兵;周洪益;胥峥 | 申请（专利权）人： | 国网江苏省电力有限公司盐城供电分公司;国家电网有限公司 |
| 主分类号： | H02M1/00 | 分类号： | H02M1/00 |
| 代理公司： | 苏州市港澄专利代理事务所(普通合伙) 32304 | 代理人： | 马丽丽 |
| 地址： | 224000 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 功率半导体器件 串联 减小 叠层母排 交流母排 输入母排 低电感 母排 回路寄生电感 变流器电压 过冲电压 不均衡 层叠层 换流 铜排 简易 裸露 | ||
1.一种用于四个功率半导体器件串联的低电感叠层母排，其特征在于：包括一件具有正极输入端、负极输入端的输入母排，一件具有功率半导体器件安装孔的中间母排，一件交流母排；其中，所述输入母排和所述中间母排均包括五层叠层，从下到上依次为：下层绝缘板，下层导体板，中间绝缘板，上层导体板，上层绝缘板；所述交流母排为裸露铜排。
2.根据权利要求1所述的一种用于四个功率半导体器件串联的低电感叠层母排，其特征在于：所述输入母排呈L型，包括一个水平面和一个垂直面，其中，垂直面包含正负极输入端，水平面包含两个功率半导体器件安装孔。
3.根据权利要求1所述的一种用于四个功率半导体器件串联的低电感叠层母排，其特征在于：所述中间母排呈长方形，其四个角各有一个功率半导体器件安装孔。
4.根据权利要求1所述的一种用于四个功率半导体器件串联的低电感叠层母排，其特征在于：所述交流母排包含两个功率半导体器件安装孔和两个转接安装孔。
5.根据权利要求1-4任一项所述的一种用于四个功率半导体器件串联的低电感叠层母排，其特征在于：所述功率半导体器件安装孔包尺寸和开孔对应功率半导体器件的尺寸与安装管脚。
6.根据权利要求1所述的一种用于四个功率半导体器件串联的低电感叠层母排，其特征在于，所述功率半导体器件采用IGBT模块或SiC MOSFET模块。
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H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备；直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换；以及它们的控制或调节
H02M1-00 变换装置的零部件
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H02M1-06 .非导电气体放电管或等效的半导体器件的专用电路，例如闸流管、晶闸管的专用电路
H02M1-08 .为静态变换器中的半导体器件产生控制电压的专用电路
H02M1-10 .具有能任意地用不同种类的电流向负载供电的变换装置的设备，例如用交流或直流
H02M1-12 .减少交流输入或输出谐波成分的装置
