[发明专利]高密度金属-绝缘体-金属的电容器

权利要求书

1.一种半导体结构，包含：

金属-绝缘体-金属电容器，包括具有第一电极、第二电极及第三电极的层堆迭，该第二电极包括第一部分，该层堆迭包括至少部分延展穿过该第二电极的该第一部分的第一先导开口；

配置于该第二电极的该第一部分上方的轴环；

位在该金属-绝缘体-金属电容器上方的第一介电层，该第一介电层包括垂直延展至该第一先导开口的第一贯穿孔开口，并且该第一贯穿孔开口至少部分延展穿过该轴环；以及

位在该第一贯穿孔开口及该第一先导开口中的第一贯穿孔，

其中，该第一贯穿孔开口具有截面积，并且该第一先导开口具有比该第一贯穿孔开口的该截面积更小的截面积。

2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，该第二电极包括垂直配置于该第一电极与该第三电极之间的第二部分。

3.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，该第一电极包括第一槽体，该第三电极包括与该第一槽体重迭的第二槽体，并且该轴环、该第一先导开口及该第一贯穿孔开口配置于该第一槽体的边界及该第二槽体的边界内。

4.如权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，该层堆迭包括至少部分延展穿过该第一电极的第二先导开口，该第一介电层包括垂直延展至该第二先导开口的第二贯穿孔开口，该第二贯穿孔开口具有截面积，并且该第二先导开口具有比该第二贯穿孔开口的该截面积更小的截面积。

5.如权利要求4所述的半导体结构，进一步包含：

位在该第二贯穿孔开口及该第二先导开口中的第二贯穿孔。

6.如权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，该第二先导开口完全延展穿过该第三电极，并且该第三电极与该第一电极藉由该第二贯穿孔来连接。

7.如权利要求1所述的半导体结构，进一步包含：

布线阶；以及

位在该布线阶上的第二介电层，

其中，该金属-绝缘体-金属电容器垂直配置于该第一介电层与该第二介电层之间，并且该第一贯穿孔开口在该层堆迭中、及该第二介电层的顶端表面上面终止。

8.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，该第一先导开口完全延展穿过该第三电极，并且至少部分延展穿过该第一电极，而该第三电极与该第一电极藉由该第一贯穿孔来连接。

9.如权利要求8所述的半导体结构，其特征在于，该第二电极包括槽体，并且该槽体具有围绕该第一先导开口及该第一贯穿孔开口的边界。

10.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，该层堆迭进一步包括第一电容器介电质与第二电容器介电质，该第一电容器介电质配置于该第一电极与该第二电极之间，该第二电容器介电质配置于该第二电极与该第三电极之间，并且该第一电容器介电质与该第二电容器介电质由高k介电材料所组成。

11.一种制作半导体结构的方法，该方法包含：

形成金属-绝缘体-金属电容器的第一电极与第二电极；

在该第一电极与该第二电极上方沉积导体层；

将该导体层图案化以形成配置于该第二电极的第一部分上方的轴环及延展穿过该轴环与至少部分延展穿过该第二电极的第一先导开口；

在将该导体层图案化之后，在该导体层上方形成介电层；

形成穿过该介电层垂直延展至该第一先导开口与至少部分延展穿过该轴环的第一贯穿孔开口；以及

在该第一贯穿孔开口及该第一先导开口中形成第一贯穿孔，

其中，该第一贯穿孔开口具有截面积，并且该第一先导开口具有比该第一贯穿孔开口的该截面积更小的截面积。

12.如权利要求11所述的方法，其特征在于，将该导体层图案化包含：

形成配置于该第二电极上的第三电极，

其中，该第一先导开口延展穿过该第三电极。