[发明专利]一种晶片及其处理方法在审
| 申请号： | 201811367666.5 | 申请日： | 2018-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN109473342A | 公开（公告）日： | 2019-03-15 |
| 发明（设计）人： | 程纪伟;罗世金;孙中旺;张坤;鲍琨;胡明;夏志良 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/22 | 分类号： | H01L21/22;H01L21/66;H01L29/36 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 赵秀芹;王宝筠 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市东湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 晶片 翘曲度 晶片表面 应力分布 预设要求 掺杂的 应力差 种晶 具体工艺条件 晶片内部 申请 掺杂 平整 | ||
1.一种晶片处理方法，其特征在于，包括：
采集晶片分别在至少两个不同方向上的第一翘曲度；
根据所述晶片至少两个不同方向上的第一翘曲度，获取所述晶片在所述至少两个不同方向上的第一翘曲度差异；
当所述第一翘曲度差异不满足预设要求时，根据所述第一翘曲度差异，对晶片表面的至少部分区域进行第一掺杂，以使掺杂后的晶片不同方向的翘曲度差异满足预设要求。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述至少两个不同方向至少包括两个相互垂直的方向。
3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述对晶片表面的至少部分区域进行掺杂，具体包括：
对晶片背面的至少部分区域进行掺杂。
4.根据权利要求1-3任一项所述的方法，其特征在于，所述根据第一翘曲度差异，对晶片表面的至少部分区域进行掺杂之后，还包括：
采集处理后的晶片至少两个不同方向上的第二翘曲度；
根据所述处理后的晶片至少两个不同方向上的第二翘曲度，获取所述处理后的晶片至少两个不同方向上的第二翘曲度差异；
判断所述第二翘曲度差异是否满足所述预设要求，如果否，则根据所述第二翘曲度差异，对晶片表面的至少部分区域进行第二掺杂，以使所述晶片不同方向的翘曲度差异满足所述预设要求。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述第一掺杂和所述第二掺杂的晶片表面区域至少部分重合。
6.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述第一掺杂和所述第二掺杂的晶片表面区域完全不重合。
7.根据权利要求1-6任一项所述的方法，其特征在于，所述晶片表面的至少部分区域至少包括沿着所述至少两个不同方向中的一个方向的晶片边缘区域。
8.一种晶片，其特征在于，所述晶片表面的至少部分区域掺杂有掺杂杂质，所述掺杂杂质能够使所述晶片不同方向的翘曲度差异满足预设要求。
9.根据权利要求8所述的晶片，其特征在于，所述晶片表面的至少部分区域包括第一局部区域和第二局部区域，所述第一局部区域和所述第二局部区域至少部分重合。
10.根据权利要求8所述的晶片，其特征在于，所述晶片表面的至少部分区域包括第一局部区域和第二局部区域，所述第一局部区域和所述第二局部区域完全不重合。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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