[发明专利]催化剂及其在光催化氨硼烷水解制氢中的用途

权利要求书

1.一种催化剂在光催化氨硼烷水解制氢中的用途，其特征在于，所述催化剂包括活性材料和半导体助剂的混合物，

所述活性材料包括Ni_xCo_2-xP，其中，0≤x≤2；

所述半导体助剂包括过渡金属氧化物和高分子半导体材料中的至少一种；

所述高分子半导体材料包括C₃N₄；

所述过渡金属氧化物包括TiO₂、WO₃和W₁₈O₄₉中的至少一种；

基于所述催化剂的总质量，所述半导体助剂的含量为10-90wt%；

所述催化剂的制备包括以下步骤：

将金属盐与碱性溶液混合，以便得到金属氢氧化物；

将所述金属氢氧化物与磷源混合之后并将所得到的混合物进行煅烧处理，以便得到金属磷化物；

将所述金属磷化物与半导体助剂混合，以便得到所述催化剂。

2.根据权利要求1所述的用途，其特征在于，所述光催化氨硼烷水解制氢的反应温度为20-80℃。

3.根据权利要求1所述的用途，其特征在于，x为0.5-1。

4.根据权利要求1所述的用途，其特征在于，基于所述催化剂的总质量，所述助剂的含量为50wt%。

5.根据权利要求1所述的用途，其特征在于，所述金属盐包括氯化镍、硝酸镍、硫酸镍、醋酸镍，钴盐选自氯化钴、硝酸钴、硫酸钴和醋酸钴中的至少一种。

6.根据权利要求1所述的用途，其特征在于，所述碱性溶液包括氢氧化钠、氢氧化钾和氨水中的至少一种。

7.根据权利要求1所述的用途，其特征在于，所述磷源包括次磷酸钠。

8.根据权利要求1所述的用途，其特征在于，所述磷源与所述金属氢氧化物的质量比为2-10:1。

9.根据权利要求1所述的用途，其特征在于，所述煅烧处理是在惰性气氛条件下进行的，煅烧温度为200-500℃，时间为1-10h，升温速率为1-15℃/min。

10.根据权利要求1所述的用途，其特征在于，所述金属磷化物与半导体助剂混合包括：将所述金属磷化物与所述半导体助剂置于1-5 mL溶剂中搅拌。

11.根据权利要求10所述的用途，其特征在于，所述半导体助剂与所述金属磷化物的质量比大于0小于等于9。

12.根据权利要求10所述的用途，其特征在于，所述半导体助剂与所述金属磷化物的质量比大于0小于等于1。

13.一种催化剂在降冰片二烯光化学异构制四环庚烷中的用途，其特征在于，所述催化剂包括活性材料和半导体助剂的混合物，

所述活性材料包括Ni_xCo_2-xP，其中，0≤x≤1.6；

所述半导体助剂包括过渡金属氧化物，所述过渡金属氧化物包括TiO₂、WO₃和W₁₈O₄₉中的至少一种；

基于所述催化剂的总质量，所述半导体助剂的含量为50-70wt%；

所述催化剂的制备包括以下步骤：

将金属盐与碱性溶液混合，以便得到金属氢氧化物；

将所述金属氢氧化物与磷源混合之后并将所得到的混合物进行煅烧处理，以便得到金属磷化物；

将所述金属磷化物与半导体助剂混合，以便得到所述催化剂。

14.根据权利要求13所述的用途，其特征在于，x为0.5-1。