[发明专利]一种测量键合强度的方法有效
申请号: | 201811368302.9 | 申请日: | 2018-11-16 |
公开(公告)号: | CN109540786B | 公开(公告)日: | 2021-10-01 |
发明(设计)人: | 曹玉荣;李虎;张志刚 | 申请(专利权)人: | 上海华力微电子有限公司 |
主分类号: | G01N19/04 | 分类号: | G01N19/04;G01B11/02 |
代理公司: | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人: | 俞涤炯 |
地址: | 201203 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 测量 强度 方法 | ||
1.一种测量键合强度的方法,适用于测量两个键合晶圆之间的键合强度,两个所述键合晶圆之间具有一键合面;其特征在于,所述方法包括:
步骤S1、将一刀片沿所述键合面嵌入到两个所述键合晶圆之间,以于两个所述键合晶圆之间产生缝隙,对所述刀片进行测量以得到所述刀片的嵌入深度;
步骤S2、将两个所述键合晶圆水平放置,将一激光束沿刀片中心与键合面中心的连线,从所述刀片的嵌入方向的对向,沿任意一所述键合晶圆的表面水平入射,采集所述激光束在被产生形变的所述键合晶圆反射前沿所述键合晶圆表面走过的水平直线距离,根据所述键合晶圆的直径、所述嵌入深度以及所述水平直线距离处理得到缝隙长度;
步骤S3、根据下述公式处理得到键合强度:
其中,
γ用于表示键合强度;
E1用于表示第一晶圆的杨氏模量;
E2用于表示第二晶圆的杨氏模量;
t1用于表示所述第一晶圆的厚度;
t2用于表示所述第二晶圆的厚度;
L用于表示所述缝隙的长度;
h用于表示位于所述缝隙外端且远离所述键合面处,所述第一晶圆的下表面和所述第二晶圆的上表面之间的距离;
At用于表示所述第一晶圆的面积;
Ab用于表示所述键合面的面积;
步骤S11、提供两个经过键合工艺处理的具有所述键合面的键合晶圆和一具有预设的刀片长度的刀片;
步骤S12、将所述刀片沿所述键合面嵌入到两个所述键合晶圆之间,以于两个所述键合晶圆之间产生所述缝隙;
步骤S13、对所述刀片暴露于所述键合面外部的部分进行测量,以得到未嵌入深度,根据下述公式处理得到所述嵌入深度:
L1=L2-L3
其中,
L1用于表示所述嵌入深度;
L2用于表示所述刀片长度;
L3用于表示所述未嵌入深度。
2.根据权利要求1的方法,其特征在于,所述步骤S2中,通过一光源发射器的激光发射口发射所述激光束,所述激光发射口设置于所述键合晶圆的上表面且位于所述刀片的嵌入方向的对向。
3.根据权利要求1的方法,其特征在于,所述步骤S2中,通过一光源接收器的激光接收口接收所述激光束,所述激光接收口设置于所述键合晶圆的上表面且位于所述刀片的嵌入方向的对向。
4.根据权利要求3的方法,其特征在于,光源发射器和所述光源接收器集成于同一硬件设备。
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