[发明专利]SoC芯片激光模拟单粒子辐照检测及故障定位方法及系统

权利要求书

1.SoC芯片激光模拟单粒子辐照检测及故障定位方法，其特征在于包括复位模式下的步骤：

(1-1)、对SoC芯片待测区域的背面进行开孔处理，露出芯片衬底；

(1-2)、将开孔后的SoC芯片安装在测试板上，所述测试板提供SoC芯片必需的配置信号，使SoC芯片上电后能够正常工作，所述配置信号包括电源信号与时钟信号，时钟信号输入至SoC芯片PLL模块，产生SoC芯片工作时钟；

(1-3)、将待测芯片复位管脚接地，之后，使SoC芯片上电开始工作；

(1-4)、采用激光对准SoC芯片背面开孔区域，进行二维平面扫描照射；

(1-5)、监测SoC芯片工作时钟的波形、内核电流、IO电流，当SoC芯片工作时钟、内核电流、IO电流任意一项出现异常时，则认为SOC芯片待测区域出现故障，停止激光照射，结束测试；

静态模式下的步骤：

(2-1)、对SoC芯片待测区域的背面进行开孔处理，露出芯片衬底；

(2-2)、将开孔后的SoC芯片安装在测试板上，所述测试板提供待测SoC芯片必需的配置信号，使SoC芯片上电后能够正常工作，所述配置信号包括电源信号；

(2-3)、配置SoC芯片PLL旁路控制信号有效，将SoC芯片的时钟输入管脚连接至高电平，之后，使SoC芯片上电开始工作；

(2-4)、采用激光对准SoC芯片背面开孔区域，进行二维平面扫描照射；

(2-5)、监测内核电流、IO电流，当内核电流、IO电流任意一项出现异常时，则认为SOC芯片待测区域出现故障，停止激光照射，结束测试；

动态模式下的步骤：

(3-1)、对SoC芯片待测区域的背面进行开孔处理，露出芯片衬底；

(3-2)、分析SoC芯片内部结构，将与SoC芯片待测区域相关联的功能模块，作为被测功能模块；

(3-3)、将待测SoC芯片安装在测试板上，所述测试板提供使待测SoC芯片正常工作必需的配置信号；所述配置信号包括电源信号、复位信号与时钟信号；

(3-3)、将SoC芯片上电，对被测功能模块进行功能测试；

(3-4)、采用激光对准待测SoC芯片背面开孔区域，进行二维平面扫描照射；

(3-5)、监测内核电流、IO电流，当内核电流、IO电流、功能测试结果任意一项出现异常时，则认为SOC芯片待测区域出现故障，停止激光照射，结束测试。

2.根据权利要求1所述的SoC芯片激光模拟单粒子辐照检测及故障定位方法，其特征在于开孔精度控制在100um以内。

3.根据权利要求1所述的SoC芯片激光模拟单粒子辐照检测及故障定位方法，其特征在于所述功能测试步骤为：

(6.1)、向被测功能模块所有地址写入数据或配置初值；

(6.2)、遍历回读被测功能模块所有地址的数据并与写入值或初值对比；

(6.3)、对比结果不相同时，则记录单个数据数据位发生翻转的情况。

4.根据权利要求3所述的SoC芯片激光模拟单粒子辐照检测及故障定位方法，其特征在于单位时间内单个数据1个数据位、2个数据位或者多个数据位发生翻转的次数超过相应的门限，则认为功能测试结果异常，否则，认为功能测试结果正常。

5.根据权利要求1所述的SoC芯片激光模拟单粒子辐照检测及故障定位方法，其特征在于所述内核电流、IO电流任一项大于相应的预设门限，则认为内核电流、IO电流异常。

6.根据权利要求1所述的SoC芯片激光模拟单粒子辐照检测及故障定位方法，其特征在于所述SoC芯片工作时钟波形幅度和频率值偏差超过相应的预设范围，则认为SoC芯片工作时钟出现异常，否则，SoC芯片工作时钟正常。