[发明专利]一种正极极片及电化学装置

权利要求书

1.一种正极极片，包括集流体、正极活性材料层和设置于集流体与正极活性材料层之间的安全涂层，所述安全涂层包含高分子基体、导电材料和无机填料，所述高分子基体是聚偏氟烯烃和/或聚偏氯烯烃，且所述高分子基体与所述导电材料的重量比大于等于2。

2.根据权利要求1所述的正极极片，所述安全涂层中的高分子基体选自聚偏氟乙烯(PVDF)、羧酸改性的PVDF、丙烯酸改性的PVDF、聚偏氯乙烯(PVDC)、羧酸改性的PVDC、丙烯酸改性的PVDC、PVDF共聚物、PVDC共聚物中的至少一种。

3.根据权利要求1所述的正极极片，所述导电材料选自导电碳基材料、导电金属材料和导电聚合物材料中的至少一种，

其中导电碳基材料选自导电炭黑、乙炔黑、石墨、石墨烯、碳纳米管、碳纳米纤维中的至少一种；

导电金属材料选自Al粉、Ni粉、金粉中的至少一种；

导电聚合物材料选自导电聚噻吩、导电聚吡咯、导电聚苯胺中的至少一种。

4.根据权利要求1所述的正极极片，所述无机填料选自金属氧化物、非金属氧化物、金属碳化物、非金属碳化物、无机盐中的至少一种，或上述材料的导电碳包覆改性、导电金属包覆改性或导电聚合物包覆改性的材料中的至少一种；

优选地，所述安全涂层中的无机填料为氧化镁、氧化铝、二氧化钛、氧化锆、二氧化硅、碳化硅、碳化硼、碳酸钙、硅酸铝、硅酸钙、钛酸钾、硫酸钡、钴酸锂、镍锰钴酸锂、镍锰铝酸锂、磷酸铁锂、磷酸钒锂、磷酸钴锂、磷酸锰锂、磷酸锰铁锂、硅酸铁锂、硅酸钒锂、硅酸钴锂、硅酸锰锂、尖晶石型锰酸锂、尖晶石型镍锰酸锂、钛酸锂、或它们的导电碳包覆改性材料、导电金属包覆改性材料或导电聚合物包覆改性材料中的至少一种；

优选地，所述无机填料的平均粒径D为100nm≤D≤10μm；

优选地，所述无机填料的比表面积(BET)为不大于500m²/g。

5.根据权利要求1所述的正极极片，所述安全涂层中的高分子基体是具有交联结构的聚偏氟烯烃和/或聚偏氯烯烃。

6.根据权利要求1-5任一项所述的正极极片，在安全涂层中，相对于无机填料、高分子基体和导电材料的总重量，

所述无机填料的重量百分比为10wt％-60wt％，

所述高分子基体的重量百分比为35wt％-75wt％，

所述导电材料的重量百分比为5wt％-25wt％。

7.根据权利要求1所述的正极极片，所述高分子基体与所述导电材料的重量比大于等于3且小于等于8。

8.根据权利要求1所述的正极极片，集流体的断裂伸长率δ不大于4％且不小于0.8％。

9.根据权利要求1所述的正极极片，所述安全涂层的厚度H为1μm≤H≤20μm，优选地3μm≤H≤10μm。

10.一种电化学装置，包括根据权利要求1至9任一项所述的正极极片，所述电化学装置为电容器、一次电池或二次电池。