[发明专利]SIGW圆极化缝隙天线

权利要求书

1.本发明SIGW圆极化缝隙天线，其特征在于，包括三层介质板：上层介质板（1），中间层介质板（2），下层介质板（3），其中：

上层介质板（1）的上表面印刷有第一敷铜层（9）；第一敷铜层（9）上蚀刻有矩形缝隙（8），下表面印刷有馈电微带线（6）；馈电微带线（6）延伸到矩形缝隙下方；

下层介质板（3）上表面的圆形贴片，下表面印刷有第二敷铜层（4）；下层介质板（3）上打有金属过孔（5），与上表面的圆形贴片（10）一起组成电磁带隙（EBG）结构阵列；

中间层介质板（2）分隔上层介质板（1）和下层介质板（3），使上层介质板（1）和下层介质板（3）之间形成间隙；

上层介质板（1），中间层介质板（2），下层介质板（3）粘合在一起，形成一个整体；

上层介质板（1）上的第一敷铜层（9）为理想电导体（PEC），下层介质板（3）相当于理想磁导体（PMC）；

上层介质板（1），中间层介质板（2），下层介质板（3），印刷在上层介质板上的第一敷铜层（9）和馈电微带线（6），制作在下层介质板上的蘑菇状EBG阵列结构，以及印刷在下层介质板上的第二敷铜层（4）构成基片集成间隙波导(SIGW)结构。

2.根据权利要求1所述SIGW圆极化缝隙天线，其特征在于：在基片集成间隙波导的上层介质板（1）的第一敷铜层（9）上开矩形缝隙（8）并延伸馈电微带线到矩形缝隙（8）下方，且矩形缝隙（8）与馈电微带线（6）有一45°夹角。

3.所述SIGW圆极化缝隙天线，其特征在于：上层介质板（1）下表面的馈电微带线（6）延伸到矩形缝隙（8）下方，激励该缝隙产生辐射；馈电微带线（6）延伸到缝隙中间位置时，可以获得较佳的回波损耗和轴比；当缝隙（8）长宽比值固定，加长或缩短馈电微带线（6）长度时，回波损耗变化较大，但轴比变化较小。

4.所述SIGW圆极化缝隙天线，其特征在于：矩形缝隙（8）与馈电微带线（6）间成45°夹角，产生两个正交电场分量，形成圆极化电磁波。

5.根据权利要求1所述SIGW圆极化缝隙天线，其特征在于：为了获得所需的工作频带，需要合适地选取蘑菇状EBG结构中圆形贴片（10）和金属过孔（5）的尺寸以及蘑菇状EBG结构的周期，使EBG结构的阻带与基片集成间隙波导（SIGW）所传播的电磁波频带相适应。

6.根据权利要求1所述SIGW圆极化缝隙天线，其特征在于：当宽边和长边的比值为0.75时，可以获得较佳的轴比结果；当缝隙（8）的长边值固定时，缝隙（8）的宽边和长边的值升高时，最小轴比所在的频点向低频端移动，带内轴比升高；当缝隙（8）的宽边和长边的值降低时，最小轴比所在频点向高频端移动，带内轴比也会升高。