[发明专利]一种极化不敏感的多波长近红外吸收器

权利要求书

1.一种极化不敏感的多波长近红外吸收器，其特征在于：该吸收器由多个吸收器单元构成，所述的每个吸收器单元包括：衬底(1)、金膜(2)、金纳米腔(21)；其中，金膜(2)紧贴于衬底(1)的上表面；金纳米腔(21)为“十”字形凹槽，位于结构单元的中心，从金膜(2)的上表面开始刻到金膜(2)内一定深度但没有刻透，所述一定深度是指从金纳米腔的底部到衬底的上表面剩余的金膜厚度仍能远大于电磁波的穿透深度；所述的金纳米腔(21)中填充电磁波材质。

2.根据权利要求1所述的一种极化不敏感的多波长近红外吸收器，其特征在于：所述衬底(1)为高阻硅、聚酰亚胺、砷化镓或石英晶体中的一种，厚度为50～1000微米。

3.根据权利要求1所述的一种极化不敏感的多波长近红外吸收器，其特征在于：所述金膜的厚度t远大于电磁波在金属中的穿透深度h_skin，金纳米腔的深度h，从金属纳米腔的底部到衬底的上表面剩余的金膜的厚度仍能远大于电磁波的穿透深度，即t-h＞＞h_skin。

4.根据权利要求1所述的一种极化不敏感的多波长近红外吸收器，其特征在于：所述每个吸波器单元的横剖面都为正方形，其边长P为300～390纳米。

5.根据权利要求1所述的一种极化不敏感的多波长近红外吸收器，其特征在于：所述金纳米腔(21)的深度h为700～900纳米。

6.根据权利要求1所述的一种极化不敏感的多波长近红外吸收器，其特征在于：所述金纳米腔(21)的宽度W为80～110纳米。

7.根据权利要求1所述的一种极化不敏感的多波长近红外吸收器，其特征在于：所述金纳米腔(21)的长度L为240～290纳米。

8.根据权利要求1所述的一种极化不敏感的多波长近红外吸收器，其特征在于：所述的金纳米腔(21)中填充电磁波材质为砷化镓、硅、磷化铟或磷化镓。

9.根据权利要求1所述的一种极化不敏感的多波长近红外吸收器，其特征在于：所述吸波单元的阵列个数不少于10×10个。