[发明专利]新式气体喷射器、电浆处理系统及电浆处理方法有效
申请号: | 201811374602.8 | 申请日: | 2018-11-19 |
公开(公告)号: | CN109841540B | 公开(公告)日: | 2021-11-23 |
发明(设计)人: | 刘晏宏;陈铭锋;刘立熙;陈哲夫 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国 |
地址: | 中国台湾新竹市*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 新式 气体 喷射器 处理 系统 方法 | ||
1.一种用于一半导体处理系统的一气体喷射器,其特征在于,包含:
一管子,以及
至少一喷嘴头安装在该管子的一下游端上,其中该至少一喷嘴头允许一流体连通以将一气体从该管子的一上游端透过该气体喷射器的该至少一喷嘴头排放到围绕该管子的该下游端的环境大气中,其中该至少一喷嘴头包含:
一主体,以及
至少一适配器,包含多个流量调节元件,以改变该下游端的该气体的一流动方向,
其中,所述多个流量调节元件各自有不同的几何配置使得每个所述流量调节元件从该至少一喷嘴头的侧壁往该至少一喷嘴头的下游端量测的高度逐渐增加,每个所述流量调节元件从该至少一喷嘴头的侧壁往该至少一喷嘴头的下游端量测的侧壁与水平线之间的角度逐渐减小,且每个所述流量调节元件的顶部曲率从该至少一喷嘴头的侧壁往该至少一喷嘴头的下游端逐渐增加。
2.根据权利要求1所述的气体喷射器,其特征在于,该至少一适配器设置在该喷嘴头的该主体的内部。
3.根据权利要求2所述的气体喷射器,其特征在于,所述多个流量调节元件沿着该主体的内表面依序排列。
4.根据权利要求1所述的气体喷射器,其特征在于,每个所述流量调节元件包含一第一表面和一第二表面。
5.根据权利要求4所述的气体喷射器,其特征在于,该第一表面被配置为面向该气体喷射器的一原始气流,并且该第二表面被配置为面向一晶圆载台。
6.根据权利要求4所述的气体喷射器,其特征在于,膜积聚形成在该至少一适配器的所述多个流量调节元件的该第二表面上。
7.一种电浆处理系统,其特征在于,包含:
一气体输送系统,其被配置为提供至少一种气体;
一半导体处理室,连接到该气体输送系统;以及
一气体喷射器,其被配置为连接该气体输送系统和该半导体处理室,其中该气体喷射器包含一管子和安装在该管子的一下游端上的至少一喷嘴头,其中该至少一喷嘴头允许一流体连通以将一气体从该管子的一上游端经由该气体喷射器的该至少一喷嘴头排出到围绕该管子的该下游端的环境大气中,其中该至少一喷嘴头包含:一主体和至少一适配器,其中该适配器包含多个流量调节元件,以用于改变该下游端的该气体的一流动方向,其中所述多个流量调节元件有不同的几何配置使得每个所述流量调节元件从该至少一喷嘴头的侧壁往该至少一喷嘴头的下游端量测的高度逐渐增加,每个所述流量调节元件从该至少一喷嘴头的侧壁往该至少一喷嘴头的下游端量测的侧壁与水平线之间的角度逐渐减小,且每个所述流量调节元件的顶部曲率从该至少一喷嘴头的侧壁往该至少一喷嘴头的下游端逐渐增加。
8.根据权利要求7所述的电浆处理系统,其特征在于,该至少一适配器设置在该喷嘴头的该主体的内部。
9.根据权利要求8所述的电浆处理系统,其特征在于,所述多个流量调节元件沿着该主体的内表面依序排列。
10.根据权利要求7所述的电浆处理系统,其特征在于,每个所述流量调节元件包含一第一表面和一第二表面。
11.根据权利要求10所述的电浆处理系统,其特征在于,该第一表面被配置为面向该气体喷射器的该主体中的一原始气流,并且该第二表面被配置为面向一晶圆载台。
12.根据权利要求10所述的电浆处理系统,其特征在于,膜聚积形成在该至少一适配器的所述流量调节元件的该第二表面上。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造