[发明专利]三维半导体存储器件和制造其的方法

权利要求书

1.一种三维半导体存储器件，包括：

半导体层，包括第一区和第二区；

多个第一垂直结构，在所述第一区域上，并且在与所述半导体层的顶表面垂直的第一方向上延伸；以及

多个第二垂直结构，在所述第二区上，并且在所述第一方向上延伸，

其中所述第一垂直结构的每个包括：

垂直半导体图案，在所述第一方向上延伸并且接触所述半导体层；

和

第一数据存储图案，围绕所述垂直半导体图案的周边，以及

其中所述第二垂直结构的每个包括：

绝缘结构，在所述第一方向上延伸并且接触所述半导体层；和

第二数据存储图案，围绕所述绝缘结构的周边。

2.根据权利要求1所述的器件，其中

每个第一垂直结构包括第一宽度，以及

每个第二垂直结构包括大于所述第一宽度的第二宽度。

3.根据权利要求2所述的器件，其中：

每个第一数据存储图案包括第一厚度，以及

每个第二数据存储图案包括基本上等于或小于所述第一厚度的第二厚度。

4.根据权利要求1所述的器件，其中所述第一数据存储图案和所述第二数据存储图案的每个包括顺序堆叠的隧道绝缘层、电荷存储层和阻挡绝缘层。

5.根据权利要求1所述的器件，其中所述第二垂直结构之一的所述绝缘结构的底表面低于所述半导体层的所述顶表面。

6.根据权利要求1所述的器件，其中所述第二垂直结构之一的所述绝缘结构的底表面低于所述第二数据存储图案的底表面。

7.根据权利要求1所述的器件，其中所述半导体层包括：

第一外延层，连接到所述第一区上的所述第一垂直结构之一的所述垂直半导体图案；以及

第二外延层，接触所述第二区上的所述第二垂直结构之一的所述绝缘结构。

8.根据权利要求7所述的器件，其中

所述第一外延层包括第一高度，以及

所述第二外延层包括小于所述第一高度的第二高度。

9.根据权利要求1所述的器件，还包括电极结构，所述电极结构包括在所述第一方向上堆叠于所述半导体层上的电极，

其中所述电极结构在第二方向上从所述第一区朝向所述第二区延伸，其中所述电极结构在所述第二区上具有阶梯结构，以及其中所述第二方向平行于所述半导体层的所述顶表面。

10.根据权利要求9所述的器件，其中所述电极的每个包括在所述第二区上构成所述阶梯结构的垫，以及其中所述第二垂直结构中的一个或更多个延伸到所述电极的每个的所述垫中。

11.根据权利要求10所述的器件，还包括联接到所述电极的所述垫的接触插塞，

其中在俯视图中，所述第二垂直结构围绕所述接触插塞的每个。

12.根据权利要求11所述的器件，其中所述接触插塞包括下接触插塞，所述下接触插塞联接到所述电极中的最下面的一个，以及其中所述下接触插塞包括比其它接触插塞的宽度大的宽度。