[发明专利]存储器装置及其操作方法在审

专利信息
申请号: 201811375197.1 申请日: 2018-11-19
公开(公告)号: CN109872751A 公开(公告)日: 2019-06-11
发明(设计)人: 林菜昱;罗太熙;鲜于桢;李墉焌 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: G11C13/00 分类号: G11C13/00
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 代理人: 赵南;张青
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要:
搜索关键词: 存储器单元 读电压 数据存储元件 存储器装置 补偿电流 开关元件 存储器单元阵列 存储器控制器 输入补偿 相变材料 检测 电阻 申请
【说明书】:

本申请提供了一种存储器装置及其操作方法。该存储器装置包括:存储器单元阵列,其包括具有开关元件和连接至开关元件的数据存储元件的存储器单元,其中,数据存储元件具有相变材料;以及存储器控制器,其将第一读电流输入至存储器单元以检测第一读电压,将第二读电流输入至存储器单元以检测第二读电压,以及将补偿电流输入至存储器单元,其中补偿电流降低数据存储元件的电阻值,当存储器单元的第一状态与存储器单元的第二状态不同时输入补偿电流,利用第一读电压确定第一状态,并且利用第二读电压确定第二状态。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2017年12月5日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2017-0165843的优先权,该申请的公开以引用方式全文并入本文中。

技术领域

本发明构思涉及一种存储器装置及其操作方法。

背景技术

随着对低功耗和高集成度存储器装置的需求增加,正在进行各种类型的下一代存储器装置的研究。正在研究的下一代存储器装置的一个示例可通过调整施加到具有相变特性的数据存储元件的电阻来存储和删除数据。

发明内容

根据本发明构思的示例性实施例,一种存储器装置包括:存储器单元阵列,其包括具有开关元件和连接至开关元件的数据存储元件的存储器单元,其中,数据存储元件具有相变材料;以及存储器控制器,其用于将第一读电流输入至存储器单元以检测第一读电压,将第二读电流输入至存储器单元以检测第二读电压,以及将补偿电流输入至存储器单元,其中补偿电流降低数据存储元件的电阻值,当存储器单元的第一状态与存储器单元的第二状态不同时输入补偿电流,利用第一读电压确定第一状态,并且利用第二读电压确定第二状态。

根据本发明构思的示例性实施例,一种存储器装置包括:存储器单元阵列,其包括具有开关元件和连接至开关元件的数据存储元件的存储器单元,其中,数据存储元件具有相变材料;以及存储器控制器,其用于将读电流输入至存储器单元以依次检测第一读电压和第二读电压,并且将补偿电流输入至存储器单元,其中,当基于第一读电压确定存储器单元处于设置状态并且基于第二读电压确定存储器单元处于复位状态时输入补偿电流,以使得补偿电流在存储器单元处于复位状态之后使存储器单元返回设置状态。

根据本发明构思的示例性实施例,一种存储器装置包括:存储器单元阵列,其具有处于设置状态或复位状态的多个存储器单元;以及存储器控制器,其用于从所述多个存储器单元中选择处于设置状态的第一存储器单元,从第一存储器单元中选择切换为复位状态的第二存储器单元,以及将补偿电流输入至第二存储器单元,其中,在对存储器单元阵列执行读操作的同时,补偿电流将第二存储器单元改变为设置状态。

根据本发明构思的示例性实施例,一种操作存储器装置的方法,包括以下步骤:从多个存储器单元中的每一个中读取第一读电压;利用第一读电压从所述多个存储器单元中确定处于设置状态的第一存储器单元;从第一存储器单元中的每一个中读取第二读电压;利用第二读电压从第一存储器单元中确定处于复位状态的第二存储器单元;以及将设置写电流输入至第二存储器单元,其中设置写电流使第二存储器单元进入设置状态。

根据本发明构思的示例性实施例,一种存储器装置包括:存储器单元阵列,其包括具有开关元件和连接至开关元件的数据存储元件的存储器单元,其中,数据存储元件具有相变材料;以及存储器控制器,其用于将第一读电流输入至存储器单元以检测第一读电压,将第二读电流输入至存储器单元以检测第二读电压,并且当在第一读电流输入至存储器单元之后存储器单元的状态改变时将补偿电流输入至存储器单元以降低数据存储元件的电阻值。

附图说明

通过参照附图详细描述本发明构思的示例性实施例,将更清楚地理解本发明构思的以上和其它特征,在附图中:

图1是示出根据本发明构思的示例性实施例的存储器装置的框图;

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