[发明专利]用于低噪声放大器的系统和方法在审
申请号: | 201811375341.1 | 申请日: | 2015-03-27 |
公开(公告)号: | CN109361364A | 公开(公告)日: | 2019-02-19 |
发明(设计)人: | D.克雷尔;T.莱特纳;P.奥利维拉 | 申请(专利权)人: | 英飞凌科技股份有限公司 |
主分类号: | H03F1/26 | 分类号: | H03F1/26 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 张涛;申屠伟进 |
地址: | 德国瑙伊比*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 晶体管 匹配网络 导电路径 耦合到 低噪声放大器 参考端子 输出网络 输入端子 控制端子 退化元件 输出 第一端 耦合 通带 | ||
1.一种低噪声放大器LNA,包括:
多个分离的输入端子;
多个晶体管,其中每个晶体管包括:
导电路径,以及
控制端子,耦合到所述多个分离的输入端子中的一个;以及
输出网络,耦合到第一参考端子、所述多个晶体管中的每个晶体管的导电路径和所述LNA的单个输出,其中所述输出网络包括多个匹配网络,所述多个匹配网络中的每个匹配网络耦合在所述LAN的单个输出与所述多个晶体管中的对应晶体管的导电路径之间,以及所述多个匹配网络中的每个匹配网络包括不同的通带;以及
退化元件,具有耦合到第二参考端子的第一端和耦合到所述多个晶体管中的每个晶体管的导电路径的第二端。
2.根据权利要求1所述的LNA,其中所述退化元件包括电感器。
3.根据权利要求1所述的LNA,其中所述输出网络包括LC储能电路。
4.根据权利要求1所述的LNA,其中所述输出网络包括与耦合到所述LNA的单个输出的阻抗基本上匹配的复阻抗。
5.根据权利要求1所述的LNA,其中所述输出网络具有频带内的第一阻抗和频带外的第二阻抗,其中所述第二阻抗大于所述第一阻抗。
6.根据权利要求5所述的LNA,其中所述第一阻抗与耦合到所述LNA的单个输出的阻抗基本上匹配。
7.根据权利要求1所述的LNA,进一步包括耦合到所述多个晶体管中的每个晶体管的控制端子的偏置网络,其中所述偏置网络被配置成一次激活所述多个晶体管中的一个晶体管。
8.根据权利要求1所述的LNA,其中所述多个晶体管中的每个晶体管是双极结型晶体管BJT,并且所述多个晶体管中的每个晶体管的导电路径连接在所述多个晶体管中的每个晶体管的集电极与发射极之间。
9.一种操作低噪声放大器LNA的方法,包括:
在所述LNA的多个分离的输入端子的第一输入端子处接收第一信号;
在所述LNA的多个分离的输入端子的第二输入端子处接收第二信号;
在所述LNA的多个晶体管的第一晶体管处放大所述第一信号;
在所述LNA的多个晶体管的第二晶体管处放大所述第二信号;
在所述LNA的共享输出线处组合所述第一信号和所述第二信号,所述共享输出线耦合到第一和第二晶体管的导电端子;并且
在耦合到所述共享输出线的单个耦合线上将所述第一信号和所述第二信号供给到处理电路,其中所述LNA还包括:
输出匹配网络,耦合到第一参考端子、所述多个晶体管中的每个晶体管的导电路径和所述共享输出线,其中所述输出匹配网络包括多个匹配网络,所述多个匹配网络中的每个匹配网络耦合在所述共享输出线与所述多个晶体管中的对应晶体管的导电端子之间,以及所述多个匹配网络的每个匹配网络包括不同的通带;以及
退化元件,具有耦合到第二参考端子的第一端和耦合到所述多个晶体管中的每个晶体管的导电路径的第二端。
10.根据权利要求9所述的方法,其中所述第一晶体管、所述第二晶体管和所述共享输出线被形成在单个半导体管芯上。
11.根据权利要求9所述的方法,其中接收第一信号和接收第二信号被同时执行并且所述第一信号和所述第二信号被同时供给到所述处理电路。
12.根据权利要求9所述的方法,其中接收第一信号和第二信号包括从滤波器组接收第一信号和第二信号,所述滤波器组被耦合到天线电路,并且其中所述滤波器组、所述第一晶体管和所述第二晶体管与同一芯片的尺寸成比例彼此接近地设置在该同一芯片上。
13.根据权利要求12所述的方法,其中接近地设置包括紧接相邻地设置在同一芯片上。
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