[发明专利]一种有机电致发光显示面板及制作方法、显示装置在审

专利信息
申请号: 201811376106.6 申请日: 2018-11-19
公开(公告)号: CN109509775A 公开(公告)日: 2019-03-22
发明(设计)人: 文国哲 申请(专利权)人: 云谷(固安)科技有限公司
主分类号: H01L27/32 分类号: H01L27/32;H01L27/12;H01L21/77
代理公司: 北京国昊天诚知识产权代理有限公司 11315 代理人: 刘昕;南霆
地址: 065500 河*** 国省代码: 河北;13
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 源层 图案化 有机电致发光显示面板 顶栅结构 显示装置 缓冲层 绝缘 工艺复杂度 第二区域 第一区域 光刻工艺 金属电极 制作工艺 源漏极 掩膜 制作 申请
【权利要求书】:

1.一种有机电致发光显示面板的制作方法,其特征在于,包括:

在缓冲层的第一区域形成图案化的第一有源层;

在所述第一有源层的上方绝缘形成图案化的第一栅极;

在所述缓冲层的第二区域形成图案化的第二有源层;

在所述第一栅极以及所述第二有源层的上方分别绝缘形成图案化的金属电极以及第二栅极。

2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述第一有源层的材质为低温多晶硅;所述第二有源层的材质为金属氧化物。

3.如权利要求1所述的方法,其特征在于,还包括:

在所述第二栅极上方沉积第一绝缘层,并形成至少贯穿所述第一绝缘层的第一过孔组和第二过孔组,其中,所述第一过孔组中两个过孔分别暴露出第一有源层,所述第二过孔组中两个过孔分别暴露出第二有源层。

4.如权利要求3所述的方法,其特征在于,还包括:

在对应所述缓冲层的第三区域的位置对从所述第一绝缘层至所述缓冲层的膜层进行刻蚀,暴露出用于承载的基底;

在暴露出的基底表面沉积平坦化层。

5.如权利要求3或4所述的方法,其特征在于,还包括:

沉积金属层,分别在所述第一过孔组中两个过孔内形成接触连接所述第一有源层两端的第一源漏极,以及在所述第二过孔组中两个过孔内形成接触连接所述第二有源层两端的第二源漏极。

6.一种有机电致发光显示面板,其特征在于,包括:

位于缓冲层的第一区域中图案化的第一有源层;

位于所述第一有源层上方且与所述第一有源层绝缘设置的图案化的第一栅极;

位于所述缓冲层的第二区域中图案化的第二有源层;

分别位于所述第一栅极以及所述第二有源层上方绝缘设置的图案化的金属电极以及第二栅极。

7.如权利要求6所述的有机电致发光显示面板,其特征在于,所述第一有源层的材质为低温多晶硅;所述第二有源层的材质为金属氧化物。

8.如权利要求6所述的有机电致发光显示面板,其特征在于,还包括:

位于所述第二栅极上方的第一绝缘层,以及至少贯穿所述第一绝缘层的第一过孔组和第二过孔组,其中,所述第一过孔组中两个过孔分别暴露出所述第一有源层,所述第二过孔组中两个过孔分别暴露出所述第二有源层。

9.如权利要求8所述的有机电致发光显示面板,其特征在于,还包括:

在对应所述缓冲层的第三区域的位置沉积有贯穿所述第一绝缘层至所述缓冲层的平坦化层。

10.如权利要求8或9所述的有机电致发光显示面板,其特征在于,还包括:

位于所述第一过孔组中两个过孔内且与所述第一有源层两端接触连接的第一源漏极,以及位于所述第二过孔组中两个过孔内且与所述第二有源层两端接触连接的第二源漏极。

11.一种显示装置,其特征在于,包括权利要求6-10任一项所述的有机电致发光显示面板。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于云谷(固安)科技有限公司,未经云谷(固安)科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201811376106.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top