[发明专利]一种有机电致发光显示面板及制作方法、显示装置在审
申请号: | 201811376106.6 | 申请日: | 2018-11-19 |
公开(公告)号: | CN109509775A | 公开(公告)日: | 2019-03-22 |
发明(设计)人: | 文国哲 | 申请(专利权)人: | 云谷(固安)科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L27/12;H01L21/77 |
代理公司: | 北京国昊天诚知识产权代理有限公司 11315 | 代理人: | 刘昕;南霆 |
地址: | 065500 河*** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 源层 图案化 有机电致发光显示面板 顶栅结构 显示装置 缓冲层 绝缘 工艺复杂度 第二区域 第一区域 光刻工艺 金属电极 制作工艺 源漏极 掩膜 制作 申请 | ||
1.一种有机电致发光显示面板的制作方法,其特征在于,包括:
在缓冲层的第一区域形成图案化的第一有源层;
在所述第一有源层的上方绝缘形成图案化的第一栅极;
在所述缓冲层的第二区域形成图案化的第二有源层;
在所述第一栅极以及所述第二有源层的上方分别绝缘形成图案化的金属电极以及第二栅极。
2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述第一有源层的材质为低温多晶硅;所述第二有源层的材质为金属氧化物。
3.如权利要求1所述的方法,其特征在于,还包括:
在所述第二栅极上方沉积第一绝缘层,并形成至少贯穿所述第一绝缘层的第一过孔组和第二过孔组,其中,所述第一过孔组中两个过孔分别暴露出第一有源层,所述第二过孔组中两个过孔分别暴露出第二有源层。
4.如权利要求3所述的方法,其特征在于,还包括:
在对应所述缓冲层的第三区域的位置对从所述第一绝缘层至所述缓冲层的膜层进行刻蚀,暴露出用于承载的基底;
在暴露出的基底表面沉积平坦化层。
5.如权利要求3或4所述的方法,其特征在于,还包括:
沉积金属层,分别在所述第一过孔组中两个过孔内形成接触连接所述第一有源层两端的第一源漏极,以及在所述第二过孔组中两个过孔内形成接触连接所述第二有源层两端的第二源漏极。
6.一种有机电致发光显示面板,其特征在于,包括:
位于缓冲层的第一区域中图案化的第一有源层;
位于所述第一有源层上方且与所述第一有源层绝缘设置的图案化的第一栅极;
位于所述缓冲层的第二区域中图案化的第二有源层;
分别位于所述第一栅极以及所述第二有源层上方绝缘设置的图案化的金属电极以及第二栅极。
7.如权利要求6所述的有机电致发光显示面板,其特征在于,所述第一有源层的材质为低温多晶硅;所述第二有源层的材质为金属氧化物。
8.如权利要求6所述的有机电致发光显示面板,其特征在于,还包括:
位于所述第二栅极上方的第一绝缘层,以及至少贯穿所述第一绝缘层的第一过孔组和第二过孔组,其中,所述第一过孔组中两个过孔分别暴露出所述第一有源层,所述第二过孔组中两个过孔分别暴露出所述第二有源层。
9.如权利要求8所述的有机电致发光显示面板,其特征在于,还包括:
在对应所述缓冲层的第三区域的位置沉积有贯穿所述第一绝缘层至所述缓冲层的平坦化层。
10.如权利要求8或9所述的有机电致发光显示面板,其特征在于,还包括:
位于所述第一过孔组中两个过孔内且与所述第一有源层两端接触连接的第一源漏极,以及位于所述第二过孔组中两个过孔内且与所述第二有源层两端接触连接的第二源漏极。
11.一种显示装置,其特征在于,包括权利要求6-10任一项所述的有机电致发光显示面板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的