[发明专利]一种分步制备CdZnS缓冲层薄膜的方法有效
申请号: | 201811376730.6 | 申请日: | 2018-11-19 |
公开(公告)号: | CN109473495B | 公开(公告)日: | 2020-11-10 |
发明(设计)人: | 赵雲;阎兴斌 | 申请(专利权)人: | 中国科学院兰州化学物理研究所 |
主分类号: | H01L31/032 | 分类号: | H01L31/032;H01L31/0445 |
代理公司: | 兰州中科华西专利代理有限公司 62002 | 代理人: | 李艳华 |
地址: | 730000 甘*** | 国省代码: | 甘肃;62 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 分步 制备 cdzns 缓冲 薄膜 方法 | ||
1.一种分步制备CdZnS缓冲层薄膜的方法,包括以下步骤:
⑴先根据CdZnS缓冲层薄膜的导带位置及其禁带宽度确定镉盐和锌盐比例,然后分别配制镉盐水溶液和锌盐水溶液,最后将所述镉盐水溶液与所述锌盐水溶液混合,得到总浓度为0.01~0.5 mol/L的镉盐和锌盐的混合水溶液;
⑵配制浓度为1~5 mol/L的硫脲水溶液;
⑶将所述镉盐和锌盐的混合水溶液置于预先加热至50~80℃的水浴锅中并搅拌5~10min;
⑷在所述步骤⑶的镉盐和锌盐的混合水溶液中加入氨水,使pH值调节至10~12.5,并络合3~10min,得到络合溶液;然后将装有样品的夹具置入其中处理5~20min;
⑸所述络合溶液中加入所述硫脲水溶液,并根据CdZnS缓冲层所需厚度计时3~20min;
⑹取出所述样品并用去离子水冲洗干净,即得CdZnS缓冲层薄膜。
2.如权利要求1所述的一种分步制备CdZnS缓冲层薄膜的方法,其特征在于:所述步骤⑴中的镉盐是指硫酸盐、氯化盐、碘化盐或醋酸盐中的一种。
3.如权利要求1所述的一种分步制备CdZnS缓冲层薄膜的方法,其特征在于:所述步骤⑴中的锌盐是指硫酸盐、醋酸盐或氯化盐中的一种。
4.如权利要求1所述的一种分步制备CdZnS缓冲层薄膜的方法,其特征在于:所述步骤⑶中的样品是指硫族化合物吸收层薄膜或玻璃。
5.如权利要求1所述的一种分步制备CdZnS缓冲层薄膜的方法,其特征在于:所述步骤⑷中的氨水质量百分比浓度为25%~28%。
6.如权利要求1所述的一种分步制备CdZnS缓冲层薄膜的方法,其特征在于:所述步骤⑸硫脲与络合溶液中的金属离子的摩尔比为1:1~10:1。
7.如权利要求1所述的一种分步制备CdZnS缓冲层薄膜的方法,其特征在于:所述步骤⑸中CdZnS缓冲层的厚度为10~200 nm。
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