[发明专利]清洗装置及方法在审
申请号: | 201811376756.0 | 申请日: | 2018-11-19 |
公开(公告)号: | CN111199898A | 公开(公告)日: | 2020-05-26 |
发明(设计)人: | 黄富源;吴宗恩;王志成 | 申请(专利权)人: | 弘塑科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/02 |
代理公司: | 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 31218 | 代理人: | 翟羽 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 清洗 装置 方法 | ||
1.一种清洗装置,用于去除一芯片堆叠结构上的残留物,其特征在于,所述芯片堆叠结构包含一基板和多个芯片,所述芯片与所述基板相隔一间隙,以及所述残留物位在所述芯片与所述基板之间的所述间隙中,其中所述清洗装置包含:
一承载台,用于放置所述芯片堆叠结构;
一供液装置,用于提供一化学液体;
一供气装置,用于提供一气体;以及
一二流体喷嘴,可相对于所述承载台移动至与两相邻的芯片之间的间隔对准,其中所述二流体喷嘴与所述供液装置和所述供气装置连接,用于施加包含所述化学液体和所述气体的气液混合流体至所述芯片堆叠结构的所述基板上,使得所述气液混合流体沿着所述间隙的第一侧流入所述间隙内,其中通过所述气液混合流体的所述化学液体使在所述间隙内的所述残留物从其附着的表面分离,以及通过所述气液混合流体的所述气体施加的冲击力将所述残留物通过所述间隙的第二侧带出。
2.如权利要求1的清洗装置,其特征在于,所述清洗装置还包含:一精密驱动装置,用于控制所述二流体喷嘴相对所述承载台沿着一垂直方向移动和沿着一水平方向移动。
3.如权利要求2的清洗装置,其特征在于,所述精密驱动装置包含一垂直升降机构用于控制所述二流体喷嘴相对所述承载台沿着所述垂直方向移动,所述垂直升降机构包括步进马达。
4.如权利要求2的清洗装置,其特征在于,所述精密驱动装置包含一水平移动机构用于控制所述二流体喷嘴相对所述承载台沿着所述水平方向移动,所述水平移动机构包括X-Y轴座标工作桌(X-Y Table)。
5.如权利要求1的清洗装置,其特征在于,所述清洗装置还包含一腔体,其中所述承载台与所述二流体喷嘴设置在所述腔体内,且所述腔体的底部设有一抽气口。
6.如权利要求5的清洗装置,其特征在于,所述清洗装置还包含一气液分离装置,其中所述气液分离装置与所述腔体的所述抽气口连接,用于将通过所述抽气口抽出的所述气液混合流体进行气液分离。
7.如权利要求1的清洗装置,其特征在于,所述供气装置包含一加热器,用于将所述供气装置内的所述气体加热至与所述化学液体的温度相近。
8.如权利要求1的清洗装置,其特征在于,所述供气装置包含一加湿器,用于增加所述供气装置内的所述气体的湿度。
9.如权利要求1的清洗装置,其特征在于,所述承载台包含另一加热器,用于将所述承载台上的所述芯片堆叠结构加热以保持在一工艺温度。
10.如权利要求1的清洗装置,其特征在于,所述清洗装置包含多个二流体喷嘴,以一排并列的方式对齐排列,并且所述多个二流体喷嘴可相对于所述承载台移动至与两排相邻的芯片之间的间隔对准。
11.如权利要求1的清洗装置,其特征在于,所述清洗装置的所述二流体喷嘴的前端设置为相对于所述清洗芯片堆叠结构的表面倾斜一角度。
12.如权利要求1的清洗装置,其特征在于,所述二流体喷嘴包含高压清洗喷嘴。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造