[发明专利]一种GaN基发光二极管外延片及其制备方法

权利要求书

1.一种GaN基发光二极管外延片，其特征在于，所述发光二极管外延片包括：

衬底、在所述衬底上顺次沉积的缓冲层、非掺杂GaN层、N型掺杂GaN层、低温应力释放层、多量子阱层、低温P型GaN层、电子阻挡层、高温P型GaN层、以及P型接触层，

所述多量子阱层包括若干层叠的阱垒层，所述阱垒层包括量子阱层和量子垒层，所述量子阱层包括第一InGaN层，所述量子垒层包括顺次层叠的第一AlInGaN层、GaN层、以及第二AlInGaN层，靠近所述低温应力释放层的阱垒层中的量子阱层与所述低温应力释放层接触。

2.根据权利要求1所述的外延片，其特征在于，所述量子阱层为低温量子阱层，所述第一AlInGaN层和所述第二AlInGaN层均为低温AlInGaN层，所述GaN层为高温GaN层。

3.根据权利要求2所述的外延片，其特征在于，所述量子阱层还包括InN层和第二InGaN层，所述InN层位于所述第一InGaN层与所述第二InGaN层之间，与所述低温应力释放层接触的量子阱层中的第一InGaN层与所述低温应力释放层接触。

4.根据权利要求3所述的外延片，其特征在于，所述第一InGaN层和所述第二InGaN层均为In_x1Ga_1-x1N层，所述第一AlInGaN层和所述第二AlInGaN层均为Al_yIn_x2Ga_1-x2-yN层，0.1≤y≤0.8，0.1≤x1≤0.3，0.05≤x2≤0.2。

5.根据权利要求4所述的外延片，其特征在于，所述第一InGaN层和所述第二InGaN层的厚度均为所述InN层的厚度为所述第一AlInGaN层和所述第二AlInGaN层的厚度均为所述GaN层的厚度为所述阱垒层的数量为6～10。

6.一种GaN基发光二极管外延片的制备方法，其特征在于，所述方法包括：

提供衬底；

在所述衬底上顺次沉积缓冲层、非掺杂GaN层、N型掺杂GaN层、低温应力释放层、多量子阱层、低温P型GaN层、电子阻挡层、高温P型GaN层、以及P型接触层，所述多量子阱层包括若干层叠的阱垒层，所述阱垒层包括量子阱层和量子垒层，所述量子阱层包括第一InGaN层，所述量子垒层包括顺次层叠的第一AlInGaN层、GaN层、以及第二AlInGaN层，靠近所述低温应力释放层的阱垒层中的量子阱层与所述低温应力释放层接触。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述量子阱层、所述第一AlInGaN层和所述第二AlInGaN层的生长温度相同，所述GaN层的生长温度比所述量子阱层的生长温度高100～150℃。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述量子阱层还包括InN层和第二InGaN层，所述InN层位于所述第一InGaN层与所述第二InGaN层之间，与所述低温应力释放层接触的量子阱层中的第一InGaN层与所述低温应力释放层接触。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述第一InGaN层和所述第二InGaN层均为In_x1Ga_1-x1N层，所述第一AlInGaN层和所述第二AlInGaN层均为Al_yIn_x2Ga_1-x2-yN层，0.1≤y≤0.8，0.1≤x1≤0.3，0.05≤x2≤0.2。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述第一InGaN层和所述第二InGaN层的厚度均为所述InN层的厚度为所述第一AlInGaN层和所述第二AlInGaN层的厚度均为所述GaN层的厚度为所述阱垒层的数量为6～10。