[发明专利]太阳能电池与其制作方法

权利要求书

1.一种太阳能电池，其特征在于，所述太阳能电池包括依次叠置的背场层(20)、基层(30)和发射层(40)，所述背场层(20)与所述发射层(40)之间具有PN结，所述基层(30)为超晶格结构层，所述超晶格结构层包括多个叠置的周期结构，各所述周期结构包括叠置的三个子结构层，三个所述子结构层中的一个所述子结构层包括GaAs，另一个所述子结构层包括InxGa1-xAs，再一个所述子结构层包括InyGa1-yP，其中，0x1，0y1；

沿靠近所述发射层(40)的方向上，一个所述周期结构中的三个所述子结构层依次为第一子结构层(31)、第二子结构层(32)和第三子结构层(33)，包括GaAs的所述子结构层为所述第一子结构层(31)，包括InxGa1-xAs的所述子结构层为所述第二子结构层(32)，包括InyGa1-yP的所述子结构层为所述第三子结构层(33)；

一个所述周期结构中，包括GaAs的所述子结构层的厚度在2nm～50nm之间，包括InxGa1-xAs的所述子结构层的厚度在1～15nm之间，包括InyGa1-yP的所述子结构层的厚度在2～30nm之间。

2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述周期结构有2～200个，所述基层(30)的厚度在100～5000nm之间。

3.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，至少部分所述周期结构还包括第四子结构层(34)，所述第四子结构层(34)位于所述第三子结构层(33)的远离所述第二子结构层(32)的表面上，所述第四子结构层(34)包括InzGa1-zAs，其中，0z1。

4.根据权利要求3所述的太阳能电池，其特征在于，各所述周期结构中，包括InyGa1-yP的所述子结构层为第三子结构层(33)，与所述发射层(40)距离最小的所述周期结构中不包括所述第四子结构层(34)；所述第四子结构层(34)的厚度在1～15nm之间。

5.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，0.3y0.7。

6.一种太阳能电池的制作方法，用于制作权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述制作方法包括：在衬底的表面上设置背场层；在所述背场层的远离所述衬底的表面上叠层设置多个周期结构，形成基层，各所述周期结构包括叠置的三个子结构层，各所述周期结构中的三个所述子结构层中的一个所述子结构层包括GaAs，另一个所述子结构层包括InxGa1-xAs，再一个所述子结构层包括InyGa1-yP，其中，0x1，0y1；在所述基层的远离所述衬底的表面上设置发射层，所述发射层与所述背场层之间形成PN结。

7.根据权利要求6所述的制作方法，其特征在于，所述基层的制作过程包括：步骤S1，沿远离所述背场层的方向依次生长包括GaAs的所述子结构层、包括InxGa1-xAs的所述子结构层、包括InyGa1-yP的所述子结构层和包括InzGa1-zAs的所述子结构层，形成第一个所述周期结构；步骤S2，重复所述步骤S1共N-2次，形成第二个至第N-1个所述周期结构；步骤S3，依次生长包括GaAs的所述子结构层、包括InxGa1-xAs的所述子结构层和包括InyGa1-yP的所述子结构层，形成第N个所述周期结构，其中，0z1，N为大于或者等于2的正整数。

8.根据权利要求6或7所述的制作方法，其特征在于，在氮气为载气的条件下，生长包括GaAs的所述子结构层；在氢气为载气的条件下，生长包括InxGa1-xAs的所述子结构层；在氮气为载气的条件下，生长包括InyGa1-yP的所述子结构层。