[发明专利]一种栅极结构平坦化的方法

权利要求书

1.一种栅极结构平坦化的方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底，所述半导体衬底中形成有栅极、覆盖所述栅极侧壁的侧墙以及覆盖所述栅极和所述侧墙的介质层；

减薄所述介质层至露出所述侧墙；

回刻蚀所述侧墙预定深度；

研磨所述介质层和所述栅极至与所述侧墙高度相同。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述侧墙的材料硬度大于所述栅极的材料。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述侧墙的材料为氮化硅，所述栅极的材料为金属。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述介质层的材料为氧化硅、氮氧化硅或碳氧化硅。

5.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述回刻蚀的过程中侧墙相对于所述介质层和所述栅极有高的选择比。

6.根据权利要求5所述的形成方法，其特征在于，所述回刻蚀的工艺为等离子干法刻蚀。

7.根据权利要求6所述的形成方法，其特征在于，所述回刻蚀采用的刻蚀气体为氟甲烷(CH₃F)、二氟甲烷(CH₂F₂)和三氟甲烷(CHF₃)中的一种或组合。

8.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述减薄工艺为化学机械抛光。

9.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述研磨工艺为化学机械抛光。