[发明专利]一种高密度磁隧道结制造方法

权利要求书

1.一种高密度磁隧道结制造方法，其特征在于，

包括以下步骤：

形成包括下电极、第一磁性层、隧穿层、第二磁性层和上电极的磁隧道结结构；

将磁隧道结结构插入和离开研磨体，利用含研磨颗粒的形状可恢复的柔性研磨体对所述磁隧道结的侧壁进行研磨，去除侧壁的黏附层和损伤层，获得陡直侧壁；

利用有机溶液对磁性隧道结进行清洗，去除表面颗粒及残留物。

2.根据权利要求1所述的高密度磁隧道结制造方法，其特征在于，

所述研磨颗粒的载体采用聚酰亚胺或高密度海绵。

3.根据权利要求1所述的高密度磁隧道结制造方法，其特征在于，

所述研磨颗粒为纳米SiO₂颗粒、SiC颗粒、SiN颗粒或金刚石粉末。

4.根据权利要求1所述的高密度磁隧道结制造方法，其特征在于，

所述研磨颗粒的粒径为0.5nm～10nm，密度为10⁵～10²⁰个/mm³。

5.根据权利要求2所述的高密度磁隧道结制造方法，其特征在于，

当研磨颗粒的载体采用聚酰亚胺，进行研磨时，将温度加热到150℃～250℃，使所述研磨体处于半固态。

6.根据权利要求1所述的高密度磁隧道结制造方法，其特征在于，

进行研磨时，将形成有磁性隧道结的晶圆固定在托片装置上，所述托片装置做上下往复运动，带动磁性隧道结插入和离开所述研磨体。

7.根据权利要求6所述的高密度磁隧道结制造方法，其特征在于，

通过气缸脉冲装置使所述托片装置上下往复运动。

8.根据权利要求1所述的高密度磁隧道结制造方法，其特征在于，

所述第一磁性层和第二磁性层为CoFe、NiFe、NiFeCo或CoFeB。

9.根据权利要求1所述的高密度磁隧道结制造方法，其特征在于，

所述隧穿层为MgO或Al₂O₃。