[发明专利]基于多层基材微带电路结构的无源、双平衡I/Q混频器

权利要求书

1.一种基于多层基材微带电路结构的无源、双平衡I/Q混频器，其特征在于，包括：功分电路、90°耦合电路和两路混频电路，其中，混频电路包括射频微带巴伦、本振微带巴伦和混频二极管组成的桥式混频单元；

射频输入端RF经过功分电路后做为两路混频电路的射频输入R1、R2，射频输入R1和R2同相位；本振输入的输入端LO经过90°耦合电路后做为混频电路的本振输入L1、L2，本振输入L1和L2相位正交；

混频电路的射频微带巴伦和本振微带巴伦输出端分别连接至混频二极管的输入端，混频电路的中频输出端相位正交；

所述功分电路、90°耦合电路和两路混频电路集成在同一平面上。

2.如权利要求1所述的一种基于多层基材微带电路结构的无源、双平衡I/Q混频器，其特征在于，所述功分电路、90°耦合电路和两路混频电路分布在两层绝缘介质基片上，第一层绝缘介质基片包括氧化铝基片或者氮化铝基片；第二层绝缘介质基片包括聚酰亚胺基片。

3.如权利要求2所述的一种基于多层基材微带电路结构的无源、双平衡I/Q混频器，其特征在于，第二层绝缘介质基片设置在第一层绝缘介质基片之上，通过金属化孔实现两层绝缘介质基片之间的连接或者绝缘介质基片与地之间的连接。

4.如权利要求2所述的一种基于多层基材微带电路结构的无源、双平衡I/Q混频器，其特征在于，第一层绝缘介质基片的厚度范围为：0.1mm～0.5mm；第二层绝缘介质基片的厚度范围为：0.05mm～0.15mm。

5.如权利要求1所述的一种基于多层基材微带电路结构的无源、双平衡I/Q混频器，其特征在于，混频电路的中频输出端在本振微带巴伦基础上以耦合的形式形成。

6.如权利要求1所述的一种基于多层基材微带电路结构的无源、双平衡I/Q混频器，其特征在于，本振微带巴伦和射频微带巴伦均为基于双面渐进线巴伦，所述基于双面渐进线巴伦在双层绝缘介质基片上实现。

7.如权利要求1所述的一种基于多层基材微带电路结构的无源、双平衡I/Q混频器，其特征在于，射频微带巴伦和本振微带巴伦的输出端与混频二极管的输入端的连接方式为倒装焊或者压焊。

8.如权利要求1所述的一种基于多层基材微带电路结构的无源、双平衡I/Q混频器，其特征在于，混频器的应用频率范围为：12GHz-75GHz。