[发明专利]一种小型半导体电嘴结构及加工方法

权利要求书

1.一种小型半导体电嘴结构，其特征在于：由壳体、绝缘体、中心电极和衬套组成；

所述壳体采用分段结构焊接而成，分为上壳体和下壳体；上壳体为圆柱薄壁形状，内壁面开有轴向的台阶面，内壁面的大径段作为与衬套钎焊的部位；下壳体为阶梯圆柱结构，形状与绝缘体形状对应；上壳体采用4J34铁镍钴合金，下壳体采用GH3044高温合金；

所述绝缘体为管状台阶结构，其大径段外壁面具有一圈轴向凹槽，作为与衬套钎焊的部位，绝缘体内部台阶面作为与中心电极钎焊的部位；绝缘体小径端外侧面及端面有半导体釉；所述绝缘体采用GLC-58高铝瓷；绝缘体小径端外侧面及端面有BY-3半导体釉；

所述中心电极为带台阶的金属杆；

所述中心电极插入绝缘体内，绝缘体装于壳体内部，衬套装于绝缘体和壳体之间，在钎焊部位通过陶瓷金属化钎焊将中心电极、绝缘体和壳体三者焊接为一体；

所述半导体电嘴结构通过以下步骤加工得到：

步骤1：在GLC-58高铝瓷材质的绝缘体小径端外侧面及端面涂覆以二氧化钛、五氧化钽、氧化锡金属氧化物为导电材料的半导体釉料，并进行半导体釉烧，半导体釉烧温度最高为1500℃，在绝缘体小径端上烧结形成BY-3半导体釉；

步骤2：在绝缘体大径段外壁面轴向凹槽部位以及绝缘体内部台阶面上涂覆陶瓷金属化膏，并进行陶瓷金属化膏烧结，陶瓷金属化膏烧结温度最高为1425℃；

步骤3：将中心电极插入绝缘体内，绝缘体装于壳体内部，衬套装于绝缘体和壳体之间，在钎焊部位通过陶瓷金属化钎焊将中心电极、绝缘体和壳体三者焊接为一体，钎焊温度最高为820℃。