[发明专利]一种高品质硅片清洗方法在审
| 申请号： | 201811378782.7 | 申请日： | 2018-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN109365384A | 公开（公告）日： | 2019-02-22 |
| 发明（设计）人： | 王冬雪;高树良;谷守伟;赵越;崔伟;侯建明;郭志荣;郭俊文 | 申请（专利权）人： | 内蒙古中环光伏材料有限公司 |
| 主分类号： | B08B3/08 | 分类号： | B08B3/08;B08B3/12;B08B3/04;H01L21/67 |
| 代理公司： | 天津诺德知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 12213 | 代理人： | 栾志超 |
| 地址： | 010070 内蒙古自*** | 国省代码： | 内蒙古;15 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 药液清洗 溢流 硅片清洗 漂洗 高品质 酸洗 清洗 表面清洁度 大尺寸硅片 硅片表面 预清洗 硅片 去除 | ||
1.一种高品质硅片清洗方法，其特征在于：包括以下步骤：
s1：第一药液清洗；
s2：溢流漂洗；
s3：第二药液清洗；
s4：酸洗；
s5：溢流漂洗。
2.根据权利要求1所述的高品质硅片清洗方法，其特征在于：所述s1步骤第一药液清洗包括以下步骤：
s11：采用清洗药液溶液进行超声清洗；
s12：采用清洗剂溶液进行超声清洗。
3.根据权利要求2所述的高品质硅片清洗方法，其特征在于：所述步骤s11中的清洗药液溶液包括清洗剂和碱液，所述清洗剂的质量分数为1％-3％。
4.根据权利要求3所述的高品质硅片清洗方法，其特征在于：所述碱液为质量分数为2％-3％的氢氧化钠。
5.根据权利要求4所述的高品质硅片清洗方法，其特征在于：所述清洗剂溶液为质量分数为1％-3％的清洗剂。
6.根据权利要求1-5任一项所述的高品质硅片清洗方法，其特征在于：所述步骤s3第二药液清洗为采用第二药液进行鼓泡清洗，所述第二药液包括双氧水和氢氧化钾，所述双氧水的质量分数为20％-40％，所述氢氧化钾的质量分数为35％-55％。
7.根据权利要求6所述的高品质硅片清洗方法，其特征在于：所述双氧水的溶度为5.5vol％-6.0vol％，所述氢氧化钾的浓度为1.0vol％-1.5vol％。
8.根据权利要求1-4，7任一项所述的高品质硅片清洗方法，其特征在于：所述步骤s4中酸洗为采用酸溶液进行超声清洗，所述酸溶液为柠檬酸。
9.根据权利要求8所述的高品质硅片清洗方法，其特征在于：所述柠檬酸的质量分数为3％-4％。
10.根据权利要求9所述的高品质硅片清洗方法，其特征在于：所述步骤s5中的溢流漂洗为采用纯水进行多次超声溢流清洗，所述次数至少为三次。
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