[发明专利]高硅硅锆合金及其生产方法

说明书

本发明提出一种高硅硅锆合金，所含元素成分和比例为：Si：81‑95%、Zr：1‑5%、Ca：1‑3%、Al1.5%、C0.3、S0.05、P0.02，还提出一种高硅硅锆合金的生产方法，包括入炉预热步骤为：所述入炉预热步骤中的炉体内的电极的半径为r，距离每个电极的外壁一个r的圆周范围为小料区，距离小料区一个r的圆周范围为大料区，大料区至炉体侧壁的范围为冷料区，冷料区、大料区、小料区的温度依次升高，每批次混合物料投入炉体内时，投入的位置为靠近大料区和冷料区交界处，本发明，通过控制物料进入炉体熔池内的位置和时机，充分利用熔池内各位置的温度，不仅能够避免热量损失浪费，而且对进入的物料先行进行温度较低的预热，从而避免温差过大造成对热场、电极的冲击。

技术领域

本发明涉及合金冶炼技术领域，尤其涉及一种高硅硅锆合金及其生产方法。

背景技术

高硅硅锆合金是利用矿热炉碳热法生产的不同于普通硅锆合金的一种铁合金新产品。作为硅系孕育剂，含硅量高孕育效果好，断面均匀性好，厚薄表面硬度差小。锆是很强的碳化物形成元素，增加奥氏体基底，细化晶粒，从而提高铸铁强度。

现有技术中生产的硅锆合金中硅的含量为70-80%，高硅系列合金中硅含量的提高是该生产工艺的瓶颈技术，如何生产出高硅硅锆合金、并使其中的杂质含量控制到较低是本行业一直存在的问题。

发明内容

有必要提出一种高硅硅锆合金。

还有必要提出一种高硅硅锆合金的生产方法。

一种高硅硅锆合金，所含元素成分和比例为：Si：81-95%、Zr：1-5%、Ca：1-3%、Al 1.5%、C 0.3、S0.05、P0.02。

一种高硅硅锆合金的生产方法，包括入炉预热步骤，所述混合物料的入炉预热步骤为：

炉体内的电极的半径为r，距离每个电极的外壁一个r的圆周范围为小料区，距离小料区两个r的圆周范围为大料区，大料区至炉体侧壁的范围为冷料区，冷料区、大料区、小料区的温度依次升高，每批次混合物料投入炉体内时，投入的位置为靠近大料区和冷料区交界处。

本发明，通过控制物料进入炉体熔池内的位置和时机，充分利用熔池内各位置的温度，不仅能够避免热量损失浪费，而且对进入的物料先行进行温度较低的预热，从而避免温差过大造成的热量损失和对热场、电极的冲击。

本发明的产品高硅硅锆合金主要用作铸铁熔炼过程中孕育剂。

附图说明

图1为矿热炉炉体的俯视图。

图中：炉体10、电极20、小料区21、大料区22、冷料区23、三角区24、下料管30。

具体实施方式

为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单的介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

参见图1，本发明实施例提供了一种高硅硅锆合金，所含元素成分和比例为：Si：81-95%、Zr：1-5%、Ca：1-3%、Al 1.5%、C 0.3、S0.05、P0.02。

进一步，所含元素成分和比例为：Si：81-85%、Zr：3-5%、Ca：2-3%、Al 1.5%、C 0.3、S0.05、P0.02。

进一步，所含元素成分和比例为：Si：85-90%、Zr：2.5-3.5%、Ca：2-3%、Al 1.5%、C0.3、S0.05、P0.02。

进一步，所含元素成分和比例为：Si：90-95%、Zr：1-2%、Ca：1-2%、Al 1%、C 0.2、S0.04、P0.02。