[发明专利]一种半导体结构的制备方法有效
| 申请号： | 201811379697.2 | 申请日： | 2018-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN111199881B | 公开（公告）日： | 2022-03-15 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 结构 制备 方法 | ||
1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括步骤：
提供器件结构，所述器件结构形成有接触沟槽，所述接触沟槽的底部显露所述器件结构的接触表面，于所述接触沟槽的侧壁及底部沉积侧墙材料；
刻蚀所述侧墙材料，以在所述接触沟槽的侧壁形成侧墙结构，所述接触沟槽底部显露的所述接触表面残留有所述侧墙材料；
采用干法刻蚀去除所述接触表面残留的所述侧墙材料，其中，所述干法刻蚀气体包括氧气、四氟化碳和氮气，所述干法刻蚀同时去除所述接触表面产生的自然氧化层以及所述接触表面受损而形成的多晶体；所述氮气的气体体积占所述氧气和所述四氟化碳的气体体积之和的比例介于8％～12％之间；
于所述接触沟槽内填充导电材料层。
2.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于：所述干法刻蚀气体中所述氧气与所述四氟化碳的体积比介于80:1～120:1之间。
3.根据权利要求2所述的半导体结构的制备方法，其特征在于：所述四氟化碳的气体流量介于30～50SCCM之间。
4.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于：所述干法刻蚀过程中所述器件结构与等离子源的垂直距离介于40～60cm之间。
5.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于：所述干法刻蚀过程中温度介于80～100℃之间。
6.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于：所述干法刻蚀过程中压强介于600～800Pa之间。
7.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于：所述干法刻蚀过程中射频功率介于3000～4000W之间。
8.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于：所述干法刻蚀开始前还包括稳定温度、压力、能量、氧气的气体流量的步骤，所述稳定的时间介于10～20S之间。
9.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于：所述干法刻蚀后通入氮气并将残余气体抽出，所述氮气的气体流量介于8000～10000SCCM之间。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
