[发明专利]SiC外延生长装置

权利要求书

1.一种SiC外延生长装置，具备：

基座，具有能够载置晶片的载置面；和

加热器，在形成成膜空间的腔室内在所述基座的与所述载置面相反侧与所述基座分离地设置，

在俯视时与载置于所述基座的晶片的外周部重叠的位置，在与所述加热器的所述基座侧的第1面相对的所述基座的被辐射面形成有凹凸，

所述加热器和载置于所述基座的晶片配置成在俯视时为同心圆状，

所述加热器的外周端与载置于所述基座的晶片的外周端的径向距离为所述晶片的直径的1/12以下。

2.根据权利要求1所述的SiC外延生长装置，

在将形成有所述凹凸的部分的表面积设为S₁、将使形成有所述凹凸的部分作为平坦面的情况下的面积设为S₀时，面积比率S₁/S₀为2以上。

3.根据权利要求1所述的SiC外延生长装置，

所述凹凸由相对于基准面凹陷的多个凹部构成，所述凹部的深宽比为1以上。

4.根据权利要求1所述的SiC外延生长装置，

所述基座包括辐射构件，在俯视时与载置于所述基座的晶片的外周部重叠的位置处的所述基座的背面设置有所述辐射构件，

在所述辐射构件的所述加热器侧的一个面具有所述凹凸。

5.根据权利要求1所述的SiC外延生长装置，

还具备从与所述载置面相对的背面支承所述基座的中央部的中央支承部。

6.根据权利要求5所述的SiC外延生长装置，

形成有所述凹凸的部分的径向宽度为载置于所述基座的晶片的半径的1/25以上且6/25以下。

7.根据权利要求1所述的SiC外延生长装置，

还具备从与所述载置面相对的背面支承所述基座的外周端的外周支承部。

8.根据权利要求7所述的SiC外延生长装置，

形成有所述凹凸的部分的径向宽度为载置于所述基座的晶片的半径的1/50以上且1/5以下。

9.根据权利要求4所述的SiC外延生长装置，

所述辐射构件由与所述基座相比辐射率高的材料构成。

10.根据权利要求4所述的SiC外延生长装置，

所述辐射构件的辐射率为所述基座的辐射率的1.5倍以上。

11.根据权利要求4所述的SiC外延生长装置，

所述基座由被覆TaC的碳构成，

所述辐射构件由石墨或被覆SiC的碳或SiC构成。

12.根据权利要求1所述的SiC外延生长装置，

在所述腔室内配置所述基座和所述加热器，

所述基座和所述加热器在俯视时是圆形，

所述加热器的直径小于所述腔室的直径。