[发明专利]半导体的制造方法

说明书

半导体的制造方法包括在半导体基板上形成掺杂区域，其中掺杂区域包含杂质，及利用包含掺杂剂气体的处理气体对掺杂区域执行激光退火制程，其中掺杂剂气体与杂质包含同一化学元素。

技术领域

本揭露是关于一种半导体的制造方法。

背景技术

半导体装置是在半导体晶圆基板上制造的小型电子组件。使用多种制造技术，将这些装置制造及连接在一起，以形成集成电路。一个晶片上可有多个集成电路，及能够在电子设备操作中执行一组有用的功能。此种电子设备的实例是移动电话、个人电脑，及个人游戏装置。这些风行装置的尺寸将意味着晶片上形成的组件较小。

发明内容

半导体的制造方法包括在半导体基板上形成掺杂区域，其中掺杂区域包含杂质，及利用包含掺杂剂气体的处理气体对掺杂区域执行激光退火制程，其中掺杂剂气体与杂质包含同一化学元素。

附图说明

本揭示案的态样在结合附图阅读以下详细说明时得以最清晰地理解。应注意，依据产业中的标准实务，各种特征并非按比例绘制。事实上，各种特征的尺寸可任意增大或减小，以便于论述明晰。

图1是依据本揭示案的一些实施例的半导体装置的形成方法的一流程图；

图2是依据本揭示案的一些实施例的一半导体基板的透视图，此半导体基板具有一浅沟隔离区域及半导体鳍；

图3至图11是依据本揭示案的一些实施例的形成半导体装置的中间阶段的横截面视图；

图12是依据本揭示案的一些实施例的一半导体设备的一透视图；

图13是依据本揭示案的一些实施例的一半导体设备的一透视图；

图14是依据本揭示案的一些实施例的一半导体设备的一透视图；及

图15至图19是在图11的步骤之后，在形成半导体装置期间的中间阶段的横截面视图。

具体实施方式

以下揭示案提供众多不同实施例或实例以用于实施本案提供标的的不同特征。下文描述组件及配置的特定实例以简化本揭示案。当然，此仅是实例，并非意欲限制。例如，下文描述中第一特征于第二特征上方或之上的形成可包括第一特征与第二特征直接接触而形成的实施例，及亦可包括第一特征与第二特征之间可能形成额外特征，以使得第一特征与第二特征不可直接接触的实施例。此外，本揭示案可在各种实例中重复元件符号及/或字母。此重复是以简单与明晰为目的，且其自身不规定本文论述的各种实施例及/或配置之间的关系。

而且，本案可能使用诸如“在...之下”、“在...下方”、“下部”、“在...之上”、“上部”等等空间相对术语以便于描述或，以描述一个元件或特征与另一(或更多个)元件或特征的关系，如附图中所示。除附图中绘示的定向之外，空间相对术语意欲包括装置在使用或操作中的不同定向。设备可能以其他方式定向(旋转90度或其他定向)，且本案所使用的空间相对描述词可由此进行同样理解。

鳍可通过任何适合的方法得以图案化。例如，鳍可通过使用一或更多个光微影制程，包括双图案化或多图案化制程而得以图案化。一般而言，双图案化或多图案化制程组合光微影术与自对准制程，允许产生具有例如某种间距的图案，这些间距小于通过使用单一直接的光微影术制程可获得的间距。例如，在一个实施例中，牺牲层形成于基板上，且通过使用光微影术制程而经图案化。栅极间隔物通过使用自对准制程而形成于图案化的牺牲层旁。牺牲层随后被移除，且剩余栅极间隔物可随后用以图案化这些鳍。