[发明专利]一种基于石墨烯改性的低膨胀金属基电子封装材料的制备方法

权利要求书

1.一种基于石墨烯改性的低膨胀金属基电子封装材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

(1)将铝锭、铜锭、硅、铌锭混合均匀，进行气雾化处理制得金属混合粉末；

(2)将石墨烯、十二烷基苯磺酸钠、去离子水混合均匀，580rpm的转速下球磨10-15h，然后过滤，将固体干燥，制得预处理石墨烯；

(3)将上述制得的预处理石墨烯表面镀镍处理，并将镀镍后的石墨烯与步骤(1)制得的金属混合粉末和乙醇混合，500-1000W下超声处理1-6h，过滤，并将固体干燥，制得混合粉末；

(4)将上述制得的混合粉末置于金属包套内，在100-180℃下进行压制处理3-5min，然后进行真空除气处理，最后在进行热压处理，制得电子封装材料。

2.如权利要求1所述的一种基于石墨烯改性的低膨胀金属基电子封装材料的制备方法，其特征在于：步骤(1)中，铝锭、铜锭、硅、铌锭的质量比为(10-20)：(3.25-4.55)：(0.15-0.33)：(0.5-1)。

3.如权利要求1所述的一种基于石墨烯改性的低膨胀金属基电子封装材料的制备方法，其特征在于：步骤(1)中，所述气雾化处理的温度为600-800℃。

4.如权利要求1所述的一种基于石墨烯改性的低膨胀金属基电子封装材料的制备方法，其特征在于：步骤(2)中，所述石墨烯、十二烷基苯磺酸钠的质量比为1：(0.03-0.09)。

5.如权利要求1所述的一种基于石墨烯改性的低膨胀金属基电子封装材料的制备方法，其特征在于：步骤(3)中，改性石墨烯、金属混合粉末的质量比为(0.07-0.13):1。

6.如权利要求1所述的一种基于石墨烯改性的低膨胀金属基电子封装材料的制备方法，其特征在于：步骤(4)中，所述真空除气的真空度为0.02-0.03Pa。

7.如权利要求1所述的一种基于石墨烯改性的低膨胀金属基电子封装材料的制备方法，其特征在于，步骤(4)中，所述热压处理的条件为：首先以10-30℃/min的速率升温至100-120℃，保温处理1-2h，然后以5-15℃/min的升温速率升温至160-220℃，保温处理50-70min，最后以10-20℃/min的升温速率升温至400-500℃，保温处理1-2h，继续升温至500-600℃，抽真空为0.003-0.007Pa时，100-120MPa下压制处理1-3h。