[发明专利]低k电介质及其形成工艺

权利要求书

1.一种形成半导体结构的方法，包括：

在半导体衬底上方形成电介质，所述电介质具有等于或小于3.9的k值，形成所述电介质包括使用等离子体增强化学汽相沉积(PECVD)，其中，所述等离子体增强化学汽相沉积包括：

使甲基二乙氧基硅烷(mDEOS，C₅H₁₄O₂Si)前体气体流动；

使氧(O₂)前体气体流动；以及

使载气流动，其中，所述甲基二乙氧基硅烷前体气体的流量与所述载气的流量的比率小于或等于0.2，

等离子蚀刻所述电介质，其中，在所述等离子蚀刻后，所述电介质中的碳浓度是一致的。

2.根据权利要求1所述的方法，其中：

所述甲基二乙氧基硅烷前体气体的流量等于或小于600sccm；

所述氧前体气体的流量在从10sccm至100sccm的范围内；以及

所述载气的流量等于或大于3000sccm。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述等离子体增强化学汽相沉积的等离子体发生器的功率等于或大于350W。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述等离子体增强化学汽相沉积的压力等于或小于9.5Torr。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述电介质包括碳氧化硅。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述电介质具有第一浓度的氧，第二浓度的硅和第三浓度的碳，所述第一浓度大于所述第二浓度，所述第二浓度大于所述第三浓度。

7.一种形成半导体结构的方法，包括：

在半导体衬底上方形成介电层，形成所述介电层包括使用利用第一甲基二乙氧基硅烷(mDEOS，C₅H₁₄O₂Si)前体气体和第一载气的第一等离子体增强化学汽相沉积(PECVD)，其中，在所述第一等离子体增强化学汽相沉积期间：

所述第一甲基二乙氧基硅烷前体气体的流量等于或小于600sccm；以及

所述第一载气的流量等于或大于3000sccm；

穿过所述介电层形成开口，其中，形成所述开口包括使用基于等离子蚀刻工艺；以及

穿过所述介电层在所述开口中形成导电部件，其中，在所述开口中形成所述导电部件后，碳的浓度从邻近于所述导电部件的所述介电层的侧壁至所述介电层的远离所述介电层的侧壁的区域一致。

8.根据权利要求7所述的方法，其中：

所述第一等离子体增强化学汽相沉积进一步使用氧前体气体；

在所述第一等离子体增强化学汽相沉积期间，所述氧前体气体的流量在从10sccm至100sccm的范围内；

在所述第一等离子体增强化学汽相沉积期间，所述第一等离子体增强化学汽相沉积的等离子体发生器的功率等于或大于350W；以及

在所述第一等离子体增强化学汽相沉积期间，所述第一等离子体增强化学汽相沉积的压力等于或小于9.5Torr。

9.根据权利要求7所述的方法，其中，所述介电层具有等于或小于3.9的k值。

10.根据权利要求7所述的方法，其中：所述介电层中没有孔。

11.根据权利要求7所述的方法，还包括：

在所述半导体衬底上方形成蚀刻停止层；

在所述蚀刻停止层上方形成粘合层，所述介电层形成在所述粘合层上方，穿过所述粘合层和所述蚀刻停止层形成所述开口。