[发明专利]一种测量水分影响电缆损耗因数的方法在审
申请号: | 201811381343.1 | 申请日: | 2018-11-19 |
公开(公告)号: | CN109541320A | 公开(公告)日: | 2019-03-29 |
发明(设计)人: | 齐伟强;徐兴全;胡则剑;于钦学;任志刚;曾泽锴;姚玉海;桂媛 | 申请(专利权)人: | 国网北京市电力公司;国家电网有限公司;西安交通大学 |
主分类号: | G01R27/26 | 分类号: | G01R27/26;G01R31/12 |
代理公司: | 北京中济纬天专利代理有限公司 11429 | 代理人: | 覃婧婵 |
地址: | 100032 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 介质损耗因数 测量 因数 注水 电缆介质损耗 电缆 水分影响 超低频 工频 电缆损耗 接头连接 接头位置 受潮电缆 西林电桥 影响规律 受潮 | ||
1.一种测量水分影响电缆介质损耗因数的方法,包括如下步骤:
S100:通过接头连接电缆,并在接头位置注水;
S200:测量注水后电缆的超低频介质损耗因数;
S300:通过高压西林电桥测量注水后电缆的工频介质损耗因数。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,优选的,所述超低频介质损耗因数的计算公式如下:
tan δ=IR/IC
其中,tanδ表示超低频介质损耗因数,IR表示电阻电流,IC表示电容电流。
3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述测量注水后电缆的超低频介质损耗因数包括以下步骤:
S1000:选择电缆三相中的一相与超低频测试主机相连;
S2000:利用低频高压电源间断输出频率为0.1HZ、电压等级分别为0.5U0、1.0U0和1.5U0的低频电压,测量每个电压等级输出下超低频介质损耗因数tan8的数值并计算该超低频介质损耗因数tan8的平均值、差值和标准偏差;
S3000:利用低频高压电源间断输出频率为50HZ、电压等级分别为0.5U0、1.0U0和1.5U0的低频电压,测量每个电压等级输出下超低频介质损耗因数tanδ的数值并计算该超低频介质损耗因数tanδ的平均值、差值和标准偏差;
S4000:选择电缆另外两相分别与超低频测试主机相连,并重复执行步骤S2000-S3000。
4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,步骤S2000中,所述超低频介质损耗因数tanδ的平均值、差值和标准偏差作为电缆绝缘老化的判断依据。
5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述工频介质损耗因数的计算公式为:
其中,εr表示工频介质损耗因数,d表示电缆厚度;De表示测量电极的有效直径;Cx表示电缆电容。
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