[发明专利]一种测量水分影响电缆损耗因数的方法在审

专利信息
申请号: 201811381343.1 申请日: 2018-11-19
公开(公告)号: CN109541320A 公开(公告)日: 2019-03-29
发明(设计)人: 齐伟强;徐兴全;胡则剑;于钦学;任志刚;曾泽锴;姚玉海;桂媛 申请(专利权)人: 国网北京市电力公司;国家电网有限公司;西安交通大学
主分类号: G01R27/26 分类号: G01R27/26;G01R31/12
代理公司: 北京中济纬天专利代理有限公司 11429 代理人: 覃婧婵
地址: 100032 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 介质损耗因数 测量 因数 注水 电缆介质损耗 电缆 水分影响 超低频 工频 电缆损耗 接头连接 接头位置 受潮电缆 西林电桥 影响规律 受潮
【权利要求书】:

1.一种测量水分影响电缆介质损耗因数的方法,包括如下步骤:

S100:通过接头连接电缆,并在接头位置注水;

S200:测量注水后电缆的超低频介质损耗因数;

S300:通过高压西林电桥测量注水后电缆的工频介质损耗因数。

2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,优选的,所述超低频介质损耗因数的计算公式如下:

tan δ=IR/IC

其中,tanδ表示超低频介质损耗因数,IR表示电阻电流IC表示电容电流。

3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述测量注水后电缆的超低频介质损耗因数包括以下步骤:

S1000:选择电缆三相中的一相与超低频测试主机相连;

S2000:利用低频高压电源间断输出频率为0.1HZ、电压等级分别为0.5U0、1.0U0和1.5U0的低频电压,测量每个电压等级输出下超低频介质损耗因数tan8的数值并计算该超低频介质损耗因数tan8的平均值、差值和标准偏差;

S3000:利用低频高压电源间断输出频率为50HZ、电压等级分别为0.5U0、1.0U0和1.5U0的低频电压,测量每个电压等级输出下超低频介质损耗因数tanδ的数值并计算该超低频介质损耗因数tanδ的平均值、差值和标准偏差;

S4000:选择电缆另外两相分别与超低频测试主机相连,并重复执行步骤S2000-S3000。

4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,步骤S2000中,所述超低频介质损耗因数tanδ的平均值、差值和标准偏差作为电缆绝缘老化的判断依据。

5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述工频介质损耗因数的计算公式为:

其中,εr表示工频介质损耗因数,d表示电缆厚度;De表示测量电极的有效直径;Cx表示电缆电容。

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