[发明专利]一种碳化硅双沟槽MOSFET器件有源区的制备方法

权利要求书

1.一种碳化硅双沟槽MOSFET器件有源区的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

在SiC衬底上沉积第一次注入掩膜介质，并形成第一次离子注入窗口，并进行第一次离子注入；

在所述第一次注入掩膜介质上生长第二次注入掩膜介质，通过刻蚀在所述第一次注入掩膜介质的侧壁上形成第二次注入掩膜介质侧墙，并进行第二次离子注入；

通过高温氧化将所述第二次注入掩膜介质侧墙全部氧化形成栅槽刻蚀窗口；

在所述栅槽刻蚀窗口刻蚀所述SiC衬底形成栅沟槽，并去除所有掩膜介质；

生长第三次注入掩膜介质并形成源沟槽窗口，在所述源沟槽窗口刻蚀所述SiC衬底形成源沟槽；

刻蚀所述第三次注入掩膜介质使所述源沟槽窗口展宽，形成第三次离子注入窗口，并进行第三次离子注入；

去除所述第三次注入掩膜介质。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一次离子注入为P-注入，所述第二次离子注入为N+注入，所述第三次离子注入为P+注入。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，第一次注入掩膜介质的材料为氧化硅，第二次注入掩膜介质的材料为多晶硅，第三次注入掩膜介质的材料为氧化硅。

4.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，通过生长第二次注入掩膜介质的厚度来调节在第一次注入掩膜介质的侧壁上形成的第二次注入掩膜介质侧墙的宽度，进而调节P-注入区与N+注入区之间的宽度。

5.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，通过第二次注入掩膜介质氧化的时间调节栅沟槽窗口的大小，氧化时间越长，栅沟槽窗口越小。

6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，通过调节第三次注入掩膜介质的腐蚀时间来控制第三次注入掩膜的窗口。

7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，第二次离子注入的深度小于第一次离子注入的深度。

8.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述栅沟槽的深度大于第一次离子注入的深度。

9.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，第三次离子注入的注入区位于所述源沟槽的侧壁、顶部及底部，第三次离子注入的区域与第一次离子注入的区域部分交叠。

10.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一次离子注入窗口和所述源沟槽窗口通过光刻、刻蚀形成，所述第二次注入掩膜介质侧墙、所述栅沟槽和所述源沟槽通过干法刻蚀形成，所述源沟槽窗口通过湿法刻蚀展宽。