[发明专利]一种MSM光电探测器的制备方法

权利要求书

1.一种MSM光电探测器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

(1)在SOI基片上制备半导体薄膜(20)；其中，SOI基片包括从下到上依次电镀形成的硅基片层(10)、二氧化硅层(11)和硅薄膜层(12)，所述半导体薄膜(20)黏附于所述硅薄膜层(12)上表面上；

(2)在所述半导体薄膜(20)上电镀并图形化形成若干叉指电极(30)；

(3)采用腐蚀法去除二氧化硅层(11)，使得硅基片层(10)和二氧化硅层(11)从硅薄膜层(12)上脱落；

(4)在所述半导体薄膜(20)上沿其纵向方向刻蚀若干周期孔且形成周期性光陷阱结构(40)，每一个周期孔向硅薄膜层(12)延伸且伸入硅薄膜层(12)内，每一个周期孔不贯穿硅薄膜层(12)，周期孔的周期为0.5-13μm。

2.根据权利要求1所述的一种MSM光电探测器的制备方法，其特征在于，步骤(1)中所述半导体薄膜(20)由硅、锗、硫化铅、硒化铅、铟镓砷以及碲镉汞中的一种制成。

3.根据权利要求2所述的一种MSM光电探测器的制备方法，其特征在于，所述半导体薄膜(20)的厚度为0.5～5μm。

4.根据权利要求1所述的一种MSM光电探测器的制备方法，其特征在于，步骤(2)中每一个所述叉指电极(30)由金、铋、钛或铝中的任意一种或至少两种的合金制成。

5.根据权利要求4所述的一种MSM光电探测器的制备方法，其特征在于，每一个所述叉指电极(30)的厚度为20～200nm，电极线条宽度0.3～3μm，任意相邻所述叉指电极(30)之间的距离为0.1～1μm。

6.根据权利要求1-5任一项所述的一种MSM光电探测器的制备方法，其特征在于，步骤(3)中所述腐蚀法采用缓冲氢氟酸溶液作为腐蚀液，缓冲氢氟酸溶液中氢氟酸与氟化氨的浓度比为1:3～1:10。

7.根据权利要求6所述的一种MSM光电探测器的制备方法，其特征在于，所述周期孔为正方形孔或圆形孔，所述周期孔按四方或六方点阵排列，周期孔的边长或直径与周期的比为0.4～0.9。

8.根据权利要求1所述的一种MSM光电探测器的制备方法，其特征在于，所述半导体薄膜(20)采用分子束外延方法或金属有机化学气相沉积方法制备。

9.根据权利要求1-8任一项所述制备方法制备的MSM光电探测器。