[发明专利]一种多芯片封装互联结构及多芯片封装互联方法

说明书

本发明公开了一种多芯片封装互联结构，包括：层叠设置的第一基板和第二基板；所述第一基板上设有若干第一腔体，第一腔体内设有若干第一芯片，第一基板的上表面设有第一焊盘，第一焊盘与第一芯片电气连接；所述第二基板上设有若干第二腔体，第二腔体内设有若干第二芯片，第二基板的上表面设有第二焊盘，第二焊盘与第二芯片电气连接；所述第一焊盘与第二焊盘之间通过贯穿第二基板的导电介质电气连接。本发明的多芯片封装互联结构，采用直接焊接的方式，实现基板的垂直互联，多芯片封装集成度高，可靠性好，工艺简单，成本低。对微波射频信号插入损耗不超过0.5dB，可解决基板高密度垂直互联的问题，广泛应用于射频微波电路的多芯片封装系统中。

技术领域

本发明涉及电子技术领域，尤其是涉及一种多芯片封装互联结构及多芯片封装互联方法。

背景技术

随着通信技术、超大规模集成电路技术、新型电子材料技术和封装互联技术的快速发展，现代军用和民用电子装备正在向小型化、轻量化、高可靠、多功能和低成本方向发展。系统级三维封装技术在单一封装内，可包含数字、模拟、射频等多种功能，极大地减小了系统所占的体积和重量。

三维系统级封装的关键技术在于怎样实现上下各层平面电路的垂直互联。垂直互联是指系统级封装中各信号层、电源层、接地层之间的相互联接。通过垂直互联，可以大大减小系统体积，提高电气性能。因此，三维垂直互联技术是实现整个系统级封装的关键技术之一。特别是在微波及射频领域，研究垂直互联结构的优化，对于提升三维系统级封装的整体性能具有重要意义。

目前实现三维垂直互联的主要方式有BGA焊球互联。采用BGA焊球互联具有一致性好、集成密度高、互联长度短等优势，但其工艺制作过程非常复杂，导致产品成本较高，且可靠性也难以得到有效验证。

发明内容

本发明的主要目的在于提供一种多芯片封装互联结构及多芯片封装互联方法，以克服现有技术中的不足。为实现前述发明目的，本发明采用的技术方案包括：

本发明实施例提供了一种多芯片封装互联结构，包括：

层叠设置的第一基板和第二基板；

所述第一基板上设有若干第一腔体，第一腔体内设有若干第一芯片，第一基板的上表面设有第一焊盘，第一焊盘与第一芯片电气连接；

所述第二基板上设有若干第二腔体，第二腔体内设有若干第二芯片，第二基板的上表面设有第二焊盘，第二焊盘与第二芯片电气连接；

所述第一焊盘与第二焊盘之间通过贯穿第二基板的导电介质电气连接。

本发明实施例还提供一种多芯片封装互联方法，包括：

S1、提供第一基板，于所述第一基板上形成若干第一腔体，于所述第一腔体内安装第一芯片，并于所述第一基板的上表面设置第一焊盘，使第一焊盘与第一芯片电气连接；

S2、提供第二基板，于所述第二基板上形成若干第二腔体，在第二基板内贯穿形成导电介质，将第二基板层叠设置于第一基板上，并在第二基板的上表面设置第二焊盘，在第二腔体内安装第二芯片，使第二焊盘与第二芯片电气连接，并使第一焊盘与第二焊盘之间通过所述导电介质电气连接。

与现有技术相比，本发明的有益效果包括：

本发明实施例提供的多芯片封装互联结构，采用直接焊接的方式，实现基板的垂直互联，且多芯片封装集成度高，可靠性较好，工艺也相对简单，大幅度降低了系统封装成本，简化了芯片封装结构的工艺复杂度。

通过制作互联通孔来实现基板间的电气连接以及芯片的互联，可以对微波射频信号插入损耗减小到不超过0.5dB，具备良好的传输性能，并且封装工艺简单，成本低廉，可以解决基板高密度垂直互联的问题，可以广泛应用于射频微波电路的多芯片封装系统中。

附图说明