[发明专利]彩膜基板和显示装置在审
申请号: | 201811382507.2 | 申请日: | 2018-11-20 |
公开(公告)号: | CN109283734A | 公开(公告)日: | 2019-01-29 |
发明(设计)人: | 薛进进;方业周;李峰;姚磊;闫雷;王金锋;孟艳艳;候林;王成龙;李梅 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司 |
主分类号: | G02F1/1335 | 分类号: | G02F1/1335;G02F1/1362;H01L27/32 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 柴亮;张天舒 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 反光材料层 彩膜基板 显示装置 基底 遮光结构 方向反射 基底倾斜 降低功耗 透光结构 垂直 | ||
1.一种彩膜基板,包括第一基底以及设置在所述第一基底上的透光结构和遮光结构,其特征在于,所述遮光结构包括反光材料层,所述反光材料层用于将至少部分沿垂直于所述第一基底的方向射到所述反光材料层上的光以相对所述第一基底倾斜的方向反射出去。
2.根据权利要求1所述的彩膜基板,其特征在于,所述反光材料层形成沿所述遮光结构的长度方向延伸的凹槽,所述凹槽的开口朝向远离所述第一基底一侧,所述凹槽具有侧壁,所述侧壁与所述第一基底之间的夹角大于90°且小于180°。
3.根据权利要求1所述的彩膜基板,其特征在于,所述遮光结构还包括黑矩阵,所述反光材料层设置在所述黑矩阵远离所述第一基底的一侧;或者
所述遮光结构仅由所述反光材料层构成。
4.根据权利要求3所述的彩膜基板,其特征在于,所述反光材料层由导电材料形成。
5.根据权利要求4所述的彩膜基板,其特征在于,所述导电材料包括银。
6.根据权利要求4或5所述的彩膜基板,其特征在于,所述彩膜基板还包括透明电极,所述透明电极设置在所述反光材料层朝向所述第一基底的一侧,且与所述反光材料层接触。
7.一种显示装置,包括对盒的阵列基板和彩膜基板,其特征在于,所述彩膜基板为根据权利要求1-6任意一项所述的彩膜基板。
8.根据权利要求7所述的显示装置,其特征在于,
所述阵列基板包括第二基底以及设置在所述第二基底上的多个晶体管,所述晶体管包括有源区;
所述阵列基板还包括光子晶体,所述光子晶体设置所述有源区的远离所述第二基底一侧,所述光子晶体在所述第一基底的正投影的外轮廓包围所述有源区在所述第一基底的正投影,所述光子晶体包括沿垂直于所述第二基底的方向堆叠的多个层叠单元,每个层叠单元包括多层介质层,每个层叠单元中越远离所述第二基底的介质层的折射率越大。
9.根据权利要求8所述的显示装置,其特征在于,所述光子晶体的每个层叠单元中折射率最小的介质层由硅的氧化物形成。
10.根据权利要求9所述的显示装置,其特征在于,所述光子晶体的每个层叠单元由两个介质层构成,折射率比硅的氧化物大的介质层由钛的氧化物形成。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司,未经京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201811382507.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。