[发明专利]一种浪涌保护电路、系统及设备

说明书

本发明提供一种浪涌保护电路，包括：所述第一检测单元，用于接收输入电压和控制电压，当所述输入电压大于第一阈值电压时，输出导通电压；当所述控制电压小于控制电压阈值时，增大所述导通电压；与所述第一检测单元相连的所述第二检测单元，用于接收所述输入电压，比较所述输入电压与第二阈值电压的大小，根据所述输入电压和所述第二阈值电压的比较结果输出相应的所述控制电压；其中，所述第二阈值电压大于所述第一阈值电压；与所述第一检测单元相连的所述浪涌泄流单元，用于接收所述输入电压和所述导通电压，并依据所述输入电压和导通电压对所述输入电压泄放。本发明提供的一种浪涌保护电路降低了瞬态最大功率，使浪涌保护电路更安全。

技术领域

本发明涉及电子电路技术领域，尤其涉及一种浪涌保护电路、系统及设备。

背景技术

浪涌电压是超出正常电压的瞬间过电压，一般指电网中出现的短时间像“浪”一样的高电压引起的大电流。浪涌电压的产生原因主要有雷击、电网上的大型负荷接通或断开等。浪涌电压可能会造成计算机及各种硬件设备的损坏、电源设备的损坏、电子设备运行不稳定及老化加速。

为了保证各种硬件设备、电子设备安全可靠运行，延长其使用寿命，需要在各种硬件设备、电子设备的端口增设浪涌保护装置，对浪涌电压及时进行泄放，避免各种硬件设备、电子设备遭受浪涌电压的破坏，以保证各种硬件设备、电子设备的安全可靠运行。

现有技术中，应用于集成芯片中的浪涌保护电路通常通过一个浪涌管作为浪涌电压的泄放通道，使得在电路输入端口上的浪涌电压超出预设值时，浪涌管导通，对浪涌电压进行泄放，以实现对电路的保护。所述浪涌管通常为N型金属氧化物半导体(Negativechannel-Metal-Oxide-Semiconductor，NMOS)，但在现有技术的浪涌保护电路中，NMOS管承受的最大功率较大，使得NMOS管容易烧断。

发明内容

有鉴于此，本发明实施例提供一种浪涌保护电路，以实现降低浪涌电路中承受的最大功率。

为实现上述目的，本发明实施例提供如下技术方案：

本发明第一方面公开了一种浪涌保护电路，包括：

第一检测单元、第二检测单元和浪涌泄流单元；所述第二检测单元与所述第一检测单元相连，所述浪涌泄流单元与所述第一检测单元相连；

所述第一检测单元，用于接收输入电压和控制电压，当所述输入电压大于第一阈值电压时，输出导通电压；当所述控制电压小于控制电压阈值时，增大所述导通电压；

所述第二检测单元，用于接收所述输入电压，比较所述输入电压与第二阈值电压的大小，根据所述输入电压和所述第二阈值电压的比较结果输出相应的所述控制电压；其中，所述第二阈值电压大于所述第一阈值电压；

所述浪涌泄流单元，用于接收所述输入电压和所述导通电压，并依据所述输入电压和导通电压对所述输入电压泄放。

可选地，所述第一检测单元，包括：

第一稳压电路、第一电阻、以及第一开关管；

所述第一稳压电路的输入端接收所述输入电压；所述第一稳压电路的输出端通过所述第一电阻接地；所述第一稳压电路包括至少两个稳压二极管，用于产生钳制电位，所述第一稳压电路中的稳压二极管均反接于所述第一稳压电路中；

所述第一电阻的远离地的一端用于输出所述导通电压；

所述第一开关管的第一端和第二端并联所述第一稳压电路中的至少一个稳压二极管；所述第一开关管的控制端接收所述控制电压。

可选地，所述第一检测单元，还包括：

第一稳压二极管，所述第一稳压二极管的正极连接所述第一开关管的控制端，所述第一稳压二极管的负极连接所述第一开关管的第一端。