[发明专利]一种香芋种苗的快速繁育方法

权利要求书

1.一种香芋种苗的快速繁育方法，其特征在于，包括如下步骤：

外植体选取与消毒：选取生长健康的香芋幼嫩的球茎或顶芽作为外植体，并进行消毒处理；

改良MS培养基制备：在MS培养基中添加抗坏血酸，核黄素和柠檬酸钠，其他组分均无变化，得到改良MS培养基；

不定芽诱导：将消毒的外植体切割成(0.3-0.4)×(0.3-0.5)cm的单芽，然后接种于不定芽诱导培养基中，进行诱导培养18-22天，得到香芋不定芽；

继代增殖：将得到的香芋不定芽切割，接入继代增殖培养基中，进行继代增殖培养20-25天，得到香芋丛芽；

无菌生根：将获得的香芋丛芽进行切繁，并保持每株均有一个不定芽，接入无菌生根培养基中，进行生根培养15-25天，得到香芋幼苗；

组培苗炼苗与假植：香芋幼苗生长至根长0.3cm、苗高5cm后，将培养瓶瓶盖打开，室内炼苗培养5-7天，然后洗净根部培养基，移入64孔的穴盘或移入直径为3cm，高度为8cm的营养杯中，基质为泥炭土与园土的混合物；

组培苗移栽与子芋培养：香芋幼苗假植到苗高10cm以上后，进行大田种植，在12月-第二年3月份时开始收获子芋，存放在冷凉通风处。

2.如权利要求1所述的快速繁育方法，其特征在于，在外植体选取与消毒的步骤中，外植体用中性洗涤剂洗涤球茎，以去除表面的污垢，然后去除多余的叶片，干净纸巾吸干表面水分；在超净工作台上，将单芽切下，先用65-70％酒精浸泡10-30s，再用无菌水冲洗3-5次，每次3-5min；立即转入0.1-0.3％的升汞溶液中消毒8-12min，最后用无菌水洗涤3-5次，每次3-5min，得到消毒外植体。

3.如权利要求1所述的快速繁育方法，其特征在于，在改良MS培养基制备的步骤中，所述抗坏血酸在改良MS培养基中的浓度3-8mg/L；所述核黄素在改良MS培养基中的浓度为0.2-1mg/L；所述柠檬酸在改良MS培养基中的浓度为0.2-1mg/L。

4.如权利要求1所述的快速繁育方法，其特征在于，在不定芽诱导的步骤中，所述不定芽诱导培养基的配方为在所述改良MS培养基上添加6-BA和NAA；所述6-BA在不定芽诱导培养基中的浓度为0.05-0.2mg/L，所述NAA在不定芽诱导培养基中的浓度为0.05-0.5mg/L；所述诱导培养的条件如下：温度为26±3℃，湿度为50-80％，光照时间为14小时/天，光照强度为800-12001x。

5.如权利要求1所述的快速繁育方法，其特征在于，在继代增殖的步骤中，所述继代增殖培养基的配方为在所述改良MS培养基的基础上添加6-BA和NAA，其中6-BA在继代增殖培养基中的浓度为0.5-2mg/L，NAA在继代增殖培养基中的浓度为0.05-0.5mg/L；所述继代增殖培养的条件如下：温度为(26-28)±3℃，湿度为50-65％，光照时间为14小时/天，光照强度为800-12001x。

6.如权利要求1所述的快速繁育方法，其特征在于，在无菌生根的步骤中，所述无菌生根培养基的配方为在所述改良MS培养基的基础上添加IBA和NAA，其中IBA在无菌生根培养基中的浓度为0.1-1mg/L，NAA在无菌生根培养基中的浓度为0.5-5mg/L；所述生根培养条件如下：培养温度为28±3℃，湿度为70-85％，光照时间为14小时/天，光照强度为800-12001x。

7.如权利要求1所述的快速繁育方法，其特征在于，在炼苗与移栽的步骤中，所述基质中泥炭土与园土的用量比例为5：1。

8.如权利要求1所述的快速繁育方法，其特征在于，在组培苗移栽与子芋培养的步骤中，田间种植密度为2000-3000株/亩，每公顷施腐熟有机肥≥7.5吨；培土2-3次；6月至9月灌水降温。