[发明专利]发光器件显示基板及其制造方法和显示装置有效
申请号: | 201811383790.0 | 申请日: | 2018-11-20 |
公开(公告)号: | CN109585505B | 公开(公告)日: | 2021-03-30 |
发明(设计)人: | 刘冰洋;陈东川;钱学强;王丹;马新利 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/56 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 汪源;陈源 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 器件 显示 及其 制造 方法 显示装置 | ||
本发明提供一种发光器件显示基板及其制造方法和显示装置。该发光器件显示基板包括衬底基板和多个像素结构,每个所述像素结构包括由外至内依次设置于所述衬底基板之上的多个像素材料层。本发明提供的发光器件显示基板的技术方案中,每个像素结构包括由外至内依次设置于衬底基板之上的多个像素材料层,本发明中的像素结构立于衬底基板上,减小了单个像素结构在衬底基板上的占位面积,极大地提高了单位面积中像素结构的数量,从而极大的提高了显示装置的分辨率。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,特别涉及一种发光器件显示基板及其制造方法和显示装置。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode,简称OLED)和量子发光二极管(Quantum Dot Light Emitting Diodes,简称QLED)因具有自发光、高色域等优点,已成为显示行业的重点发展方向。
同时,用户一直以来追求清晰细腻的画面,需要不断提高分辨率(Pixels PerInch,简称PPI)来实现。通常,OLED/QLED显示装置设计为自衬底基板向上,一层层地“平铺堆积”排列,每层结构均平行于衬底基板。
根据当前产品设计,OLED/QLED显示装置分辨率较低,难以满足当前一些产品,例如增强现实(Augmented Reality,简称AR)显示装置或者虚拟现实(Virtual Reality,简称VR)显示装置的高PPI需求。
发明内容
本发明提供一种发光器件显示基板及其制造方法和显示装置,用于提高显示装置的PPI。
为实现上述目的,本发明提供了一种发光器件显示基板,包括衬底基板和多个像素结构,每个所述像素结构包括由外至内依次设置于所述衬底基板之上的多个像素材料层。
可选地,所述像素材料层为连续闭合结构。
可选地,每个所述像素材料层的沿所述衬底基板所在平面的截面的形状为环形。
可选地,多个像素材料层包括第一电极层、电子注入层、电子传输层、发光层、空穴传输层、空穴注入层和第二电极层。
可选地,多个像素材料层还包括空穴阻挡层和电子阻挡层;
所述空穴阻挡层位于所述电子传输层和所述发光层之间;
所述电子阻挡层位于所述空穴传输层和所述发光层之间。
可选地,每个所述像素结构包括多个子像素;
多个所述子像素之间共用部分像素材料层,每个子像素均包括其余部分像素材料层。
可选地,每个所述像素结构包括多个子像素,每个子像素均包括全部像素材料层。
可选地,不同的子像素中的相同的像素材料层位于同一圆周上且相互不连接。
为实现上述目的,本发明提供了一种显示装置,包括:上述发光器件显示基板。
为实现上述目的,本发明提供了一种发光器件显示基板的制造方法,包括:
在衬底基板上形成多个像素结构,每个所述像素结构包括由外至内依次设置于所述衬底基板之上的多个像素材料层。
附图说明
图1为本发明实施例一提供的一种发光器件显示基板的结构示意图;
图2为图1中像素结构的俯视图;
图3a为实施例一中像素结构的一种示意图;
图3b为实施例一中像素结构的另一种示意图;
图3c为实施例一中像素结构的另一种示意图;
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司,未经京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201811383790.0/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:显示面板及其制作方法
- 下一篇:具有照明功能的OLED显示设备
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的