[发明专利]基于纳米光刻的光盘读写方法及刻写控制信息编解码方法

权利要求书

1.一种基于纳米光刻的光盘写入方法，其特征在于，包括：

压缩实心刻写光束的焦斑尺寸，包括：分别形成波长不同的实心刻写光束及空心抑制光束；令所述实心刻写光束及所述空心抑制光束的焦平面在空间上重合；将重合后的光束照射于光盘物理存储介质的吸收调制层，在所述空心抑制光束的作用下，所述吸收调制层抑制所述实心刻写光束的外围光斑透过所述吸收调制层，以压缩所述实心刻写光束的焦斑尺寸；

读取需存入光盘的数字存储信息；所述数字存储信息亦作为刻写控制信息；所述刻写控制信息包括按序排列的各子刻写控制信息；每一所述子刻写控制信息用于控制一个信息记录点的刻写；所述信息记录点处包括m个数据存储位点，每一所述子刻写控制信息由m位二进制数构成，每位二进制数的数码用于表示是否在对应的数据存储位点处进行相应深度信息沟槽的刻写；

根据所述刻写控制信息中的一组m位子刻写控制信息，控制被压缩的焦斑在光盘物理存储介质的记录层刻写对应的信息记录点；

待完成所述信息记录点的刻写后，将所述被压缩的焦斑移动至下一待刻写信息记录点所在的位置，并根据所述刻写控制信息中的下一组m位子刻写控制信息控制所述被压缩的焦斑进行刻写，直至完成所有信息记录点的数字存储信息的写入。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述压缩实心刻写光束的焦斑尺寸的实现方式还包括：所述实心刻写光束采用脉冲光束实现双光子刻写方法。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括：

通过控制所述实心刻写光束的光束强度和作用时间来控制对所述记录层上数据存储位点处的沟槽刻写深度；

通过控制所述空心抑制光束的光束强度和作用时间来控制对所述记录层上数据存储位点处的沟槽刻写宽度。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述实心刻写光束的光束强度符合高斯强度分布；所述空心抑制光束的光束强度符合环形强度分布且中心强度趋于零。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述实心刻写光束采用可见、紫外、深紫外连续激光或波段在可见光至紫外光之间的脉冲激光。

6.根据权利要求1所述的方法，所述信息记录点的大小不大于130nm；所述信息记录点的轨道间距不大于320nm。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述刻写控制信息的编码方法包括：

将各待刻写信息记录点所包含的数据存储位点的数量m作为2的幂指数，以确定采用2^m进制数来编码；

将m位二进制的待存入光盘的数字存储信息作为一待刻写信息记录点的刻写控制信息；根据所述待刻写信息记录点的各数据存储位点处是否要进行相应深度信息沟槽刻写的情况对应赋予组内每位二进制数的“0”和“1”数码；

所有的待刻写信息记录点的刻写控制信息组成2^m位数字信息集，，以作为总的刻写控制信息。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，各所述数据存储位点处以不同深度信息表示不同数码进行数据存储。

9.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述刻写控制信息的解码方法包括：

根据数字存储信息中的一组m位二进制数，在光盘物理存储介质的记录层刻写对应的信息记录点；其中，根据每位二进制数的数码来判断是否要在所述信息记录点的对应的数据存储位点处进行相应深度信息沟槽刻写，刻写后形成该信息记录点的连续刻写沟槽深度信息；

待完成对所述信息记录点的刻写后，将实心刻写光束移动至下一信息记录点，并根据所述数字存储信息中的下一组m位二进制数控制所述实心刻写光束进行沟槽刻写，刻写后形成该信息记录点的连续刻写沟槽深度信息，直至完成所有信息记录点的刻写，形成总的连续刻写沟槽深度信息，。