[发明专利]一种GaN基发光二极管外延片及其制备方法

权利要求书

1.一种GaN基发光二极管外延片的制备方法，其特征在于，所述方法包括：

提供衬底；

在所述衬底上顺次沉积缓冲层、非掺杂GaN层、N型掺杂GaN层、低温应力释放层、多量子阱层、低温P型GaN层、电子阻挡层、高温P型GaN层、以及P型接触层，所述电子阻挡层包括若干层叠的复合层，所述复合层包括BAlN子层和GaN子层，所述BAlN子层为B_xAl_1-xN子层，0.13≤x≤0.15。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述衬底上顺次沉积缓冲层、非掺杂GaN层、N型掺杂GaN层、低温应力释放层、多量子阱层、低温P型GaN层、电子阻挡层、高温P型GaN层、以及P型接触层，包括：

将所述衬底放置到金属有机化合物化学气相沉淀设备的反应腔中的衬底托盘上，并对所述衬底托盘进行加热和驱动所述衬底托盘转动；

在所述衬底上顺次沉积所述缓冲层、所述非掺杂GaN层、所述N型掺杂GaN层、所述低温应力释放层、所述多量子阱层、以及所述低温P型GaN层；

在所述低温P型GaN层上沉积所述电子阻挡层，在生长所述电子阻挡层时，所述衬底托盘的转速为800～1000转/分钟，所述反应腔的温度为900～1000℃，所述反应腔的压力为20～200torr；

在所述电子阻挡层上顺次沉积所述高温P型GaN层、以及所述P型接触层。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述在所述低温P型GaN层上沉积所述电子阻挡层，包括：

向所述反应腔输送第一反应气体，以生长第i个复合层中的BAlN子层，所述第一反应气体包括氨气、三甲基硼、三甲基铝和三乙基镓，i为正整数；

向所述反应腔输送第二反应气体，以生长所述第i个复合层中的GaN子层，所述第二反应气体包括氨气和三乙基镓，所述第一反应气体中的氨气流量为所述第二反应气体中的氨气流量的2％～30％。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述电子阻挡层的厚度为20nm～60nm，3≤i。

5.根据权利要求1-4中任一项所述的方法，其特征在于，x＝0.13、0.14或者0.15。

6.一种GaN基发光二极管外延片，其特征在于，所述发光二极管外延片包括：

衬底、在所述衬底上顺次沉积的缓冲层、非掺杂GaN层、N型掺杂GaN层、低温应力释放层、多量子阱层、低温P型GaN层、电子阻挡层、高温P型GaN层、以及P型接触层，所述电子阻挡层包括若干层叠的复合层，所述复合层包括BAlN子层和GaN子层，所述BAlN子层为B_xAl_1-xN子层，0.13≤x≤0.15。

7.根据权利要求6所述的外延片，其特征在于，所述复合层的数量大于或等于3，所述电子阻挡层的厚度为20nm～60nm。

8.根据权利要求7所述的外延片，其特征在于，所述复合层的数量等于10，所述电子阻挡层的厚度为40nm。

9.根据权利要求6-8中任一项所述的外延片，其特征在于，所述缓冲层的厚度是15～35nm，所述非掺杂GaN层的厚度是1～3μm，所述N型掺杂GaN层的厚度是1～2μm，所述低温应力释放层的厚度是134～310nm，所述多量子阱层的厚度为30～350nm，所述低温P型GaN层的厚度是200～400nm，所述高温P型GaN层的厚度为100～300nm，所述P型接触层的厚度是50～100nm。

10.根据权利要求6-8中任一项所述的外延片，其特征在于，x＝0.13、0.14或者0.15。