[发明专利]半导体结构、重布线层结构及其制造方法在审

专利信息
申请号: 201811385525.6 申请日: 2018-11-20
公开(公告)号: CN111199933A 公开(公告)日: 2020-05-26
发明(设计)人: 吴秉桓;许文豪 申请(专利权)人: 长鑫存储技术有限公司
主分类号: H01L23/485 分类号: H01L23/485;H01L21/60
代理公司: 北京律智知识产权代理有限公司 11438 代理人: 袁礼君;阚梓瑄
地址: 230000 安徽省合肥市*** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 半导体 结构 布线 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种重布线层结构,其特征在于,包括:

重布线层,设置于一衬底上,所述重布线层包括焊垫部和与所述焊垫部连接的导线部;

其中,所述焊垫部的厚度大于所述导线部的厚度。

2.根据权利要求1所述的重布线层结构,其特征在于,所述焊垫部包括焊垫本体部和设于所述焊垫本体部远离所述衬底一侧上的焊接部。

3.根据权利要求2所述的重布线层结构,其特征在于,所述焊垫本体部与所述焊接部形成的所述焊垫部呈凸台状,所述焊垫本体部正投影的长度和宽度大于所述焊接部正投影的长度和宽度。

4.根据权利要求3所述的重布线层结构,其特征在于,所述焊接部的侧边与所述焊垫本体部的侧边具有预设距离,所述预设距离在0.5μm-3μm之间。

5.根据权利要求2所述的重布线层结构,其特征在于,所述焊垫本体部与所述焊接部为一体结构。

6.根据权利要求2所述的重布线层结构,其特征在于,所述导线部的厚度与所述焊垫本体部的厚度相同。

7.根据权利要求2所述的重布线层结构,其特征在于,所述焊接部的厚度在1μm-2.5μm之间。

8.根据权利要求2所述的重布线层结构,其特征在于,所述焊接部的正投影的形状为矩形、六边形、八边形、圆形或椭圆形,所述焊垫本体部的正投影的形状为矩形、六边形、八边形、圆形或椭圆形,所述焊垫本体部的正投影的形状与所述焊接部的正投影的形状相同或不同。

9.根据权利要求2所述的重布线层结构,其特征在于,所述焊接部和所述焊垫本体部的侧面剖视形状呈矩形或梯形。

10.根据权利要求9所述的重布线层结构,其特征在于,所述焊接部的侧面剖视形状呈梯形,包括顶面、底面及侧面,所述顶面为远离所述衬底的一侧面,所述顶面的面积小于所述底面的面积,所述焊垫本体部的侧面剖视形状呈矩形,所述焊接部的底面与所述焊垫本体部连接。

11.根据权利要求9所述的重布线层结构,其特征在于,所述焊垫本体部的侧面剖视形状呈梯形,包括顶面、底面及侧面,所述顶面为远离所述衬底的一侧面,所述顶面的面积小于所述底面的面积,所述焊接部的侧面剖视形状呈矩形,所述焊接部与所述焊垫本体部的顶面连接。

12.根据权利要求2所述的重布线层结构,其特征在于,所述焊接部的材料和所述焊垫本体部的材料相同。

13.根据权利要求2所述的重布线层结构,其特征在于,所述导线部的材料和所述焊垫本体部的材料相同。

14.根据权利要求2所述的重布线层结构,其特征在于,所述重布线层结构还包括:

钝化层,设置于所述重布线层远离所述衬底的一侧上;

保护层,设置与所述钝化层远离衬底的一侧上;

所述保护层具有开口,暴露出所述焊接部远离所述衬底的一侧面;

所述保护层远离所述衬底的一侧面凸出于所述焊接部远离所述衬底的一侧面。

15.根据权利要求2所述的重布线层结构,其特征在于,所述重布线层结构还包括:

保护层,设置于所述重布线层远离所述衬底的一侧上;

所述保护层具有开口,暴露出所述焊接部远离所述衬底的一侧面;

所述保护层远离所述衬底的一侧面凸出于所述焊接部远离所述衬底的一侧面。

16.一种重布线层结构的制造方法,其特征在于,包括:

提供衬底;

在所述衬底上形成重布线层,所述重布线层包括焊垫部和与所述焊垫部连接的导线部;

其中,所述焊垫部的厚度大于所述导线部的厚度。

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